| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪 论 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·SrTiO_3的晶体结构和物理特性 | 第9-15页 |
| ·SrTiO_3的光学特性及其研究进展 | 第15-20页 |
| ·SrTiO_3薄膜制备方法概述 | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积法的研究进展及优越性 | 第22-25页 |
| ·本论文研究目的、方法综述 | 第25-28页 |
| 第二章 脉冲激光沉积过程中光与物质的相互作用 | 第28-48页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)基本原理与过程 | 第28-31页 |
| ·脉冲激光与靶物质的相互作用 | 第31-34页 |
| ·脉冲激光与等离子体的相互作用 | 第34-43页 |
| ·激光参数对PLD过程的影响 | 第43-47页 |
| 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 SrTiO_3薄膜的脉冲激光沉积制备工艺研究 | 第48-60页 |
| ·PLD实验系统及过程 | 第48-49页 |
| ·SrTiO_3薄膜生长工艺 | 第49-51页 |
| ·氧分压对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第51-53页 |
| ·衬底温度对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第53-56页 |
| ·衬底与靶距离对SrTiO_3薄膜生长的影响 | 第56-57页 |
| ·衬底类型对SrTiO_3薄膜微观结构的影响 | 第57-59页 |
| 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 SrTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的制备与表征 | 第60-74页 |
| ·SrTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的制备 | 第60页 |
| ·X射线衍射谱 | 第60-62页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第62-63页 |
| ·透射电子显微镜图像 | 第63-64页 |
| ·薄膜介电常数特性 | 第64-68页 |
| ·拉曼光谱 | 第68-73页 |
| 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 SrTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电学特性 | 第74-92页 |
| ·半导体异质结及其能带结构 | 第74-77页 |
| ·半导体异质结中的电流传输机制 | 第77-78页 |
| ·STO/NSTO异质结的电流-电压特性 | 第78-84页 |
| ·STO/NSTO异质结的电阻开关现象 | 第84-91页 |
| 本章小结 | 第91-92页 |
| 第六章 SrTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的光电效应 | 第92-110页 |
| ·光与半导体相互作用的基本概念与过程 | 第92-100页 |
| ·半导体异质结的光生伏特效应 | 第100-103页 |
| ·STO薄膜及STO/NSTO异质结的光电导现象 | 第103-106页 |
| ·STO/NSTO异质结的光生伏特效应 | 第106-108页 |
| 本章小结 | 第108-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-119页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第119页 |
