过渡族金属Fe和Cu在硅片中的行为研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11页 |
| 1.2 硅片的制造工艺概述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 硅片的研磨 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硅片的腐蚀 | 第12-13页 |
| 1.2.3 硅片的清洗 | 第13-15页 |
| 1.3 金属在硅片表面的沾污 | 第15-18页 |
| 1.3.1 硅片的表面状态 | 第15-17页 |
| 1.3.2 硅中金属杂质的来源 | 第17页 |
| 1.3.3 硅片表面金属杂质的危害 | 第17-18页 |
| 1.4 金属在单晶硅中的性质 | 第18-27页 |
| 1.4.1 金属杂质在硅中的扩散 | 第18-22页 |
| 1.4.2 金属杂质在硅中的固溶度 | 第22-24页 |
| 1.4.3 金属杂质在硅中的沉淀行为 | 第24-27页 |
| 1.5 研究目的及意义 | 第27-28页 |
| 2 实验 | 第28-33页 |
| 2.1 实验材料 | 第28页 |
| 2.2 实验设备 | 第28-32页 |
| 2.2.1 硅片加工设备 | 第28页 |
| 2.2.2 热处理设备 | 第28-29页 |
| 2.2.3 接触角测量仪 | 第29页 |
| 2.2.4 全发射X射线荧光光谱仪(TXRF) | 第29-30页 |
| 2.2.5 表面光电压法(SPV) | 第30-32页 |
| 2.3 研究内容 | 第32-33页 |
| 3 过渡族金属Fe在硅中的沾污行为研究 | 第33-50页 |
| 3.1 表面粗糙度对硅片Fe沾污的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.1 实验设计 | 第33-34页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第34-36页 |
| 3.2 表面亲疏水性对硅片Fe沾污的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第36-37页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第37-41页 |
| 3.3 表面损伤对硅片Fe沾污的影响 | 第41-48页 |
| 3.3.1 研磨损伤对硅片Fe沾污的影响 | 第41-46页 |
| 3.3.2 喷砂损伤对硅片Fe沾污的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 4 过渡族金属Cu在硅中的外扩散行为研究 | 第50-60页 |
| 4.1 Cu在硅中的扩散理论 | 第50-52页 |
| 4.2 P型硅中Cu的外扩散 | 第52-56页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第52-53页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第53-56页 |
| 4.3 N型硅中Cu的外扩散 | 第56-58页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第56页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
