| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 1 绪论 | 第14-16页 |
| 2 文献综述 | 第16-46页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·太阳电池的基本理论 | 第17-21页 |
| ·光生伏特效应 | 第17-18页 |
| ·光电流 | 第18页 |
| ·光电压 | 第18-19页 |
| ·太阳电池的输出特性 | 第19-20页 |
| ·异质结太阳电池 | 第20-21页 |
| ·主要的几种薄膜太阳电池 | 第21-25页 |
| ·非晶硅薄膜太阳电池 | 第21-22页 |
| ·多晶硅/微晶硅薄膜太阳电池 | 第22页 |
| ·CdTe薄膜太阳电池 | 第22-23页 |
| ·CuInSe_2(CuIn_xGa_(1-x)Se_2)薄膜太阳电池 | 第23-25页 |
| ·CuInS_2薄膜的性质及制备 | 第25-35页 |
| ·CuInS_2的性质 | 第25-26页 |
| ·真空法制备CuInS_2薄膜 | 第26-28页 |
| ·铜铟合金的相转变 | 第28-29页 |
| ·铜铟合金的硫化 | 第29-33页 |
| ·钠和氧对硫化的作用 | 第33-35页 |
| ·非真空法制备制备CuInS_2薄膜 | 第35-40页 |
| ·喷涂热解法(spray)制备CuInS_2薄膜 | 第35-36页 |
| ·离子层气相反应(ILGRA)法制备CuInS_2薄膜 | 第36-37页 |
| ·化学水浴法(CBD)制备CuInS_2薄膜 | 第37页 |
| ·电化学/化学镀法沉积CuInS_2薄膜 | 第37-38页 |
| ·溶胶-凝胶(sol-gel)法制备CuInS_2薄膜 | 第38-39页 |
| ·颗粒/墨水法制备CuInS_2薄膜 | 第39-40页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池 | 第40-43页 |
| ·本章总结 | 第43-46页 |
| 3 实验内容、设备及测试仪器 | 第46-54页 |
| ·实验内容 | 第46-50页 |
| ·金属颗粒的制备 | 第46-47页 |
| ·金属颗粒墨水、前驱体薄膜的制备 | 第47-48页 |
| ·热处理及硫化装置 | 第48-49页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池的制备 | 第49-50页 |
| ·测试仪器和方法 | 第50-54页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第50页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第50-51页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第51页 |
| ·Raman散射谱测试 | 第51页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第51-52页 |
| ·等离子发射光谱(ICP-AES) | 第52页 |
| ·紫外-可见光吸收谱(UV-Vis) | 第52页 |
| ·电池电流-电压(I-V)特性曲线测试 | 第52-54页 |
| 4 金属铟、铜铟合金颗粒的制备 | 第54-82页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·多元醇还原法制备金属颗粒 | 第55-58页 |
| ·实验路线 | 第55页 |
| ·实验过程 | 第55页 |
| ·实验结果 | 第55-58页 |
| ·反应条件对铟颗粒的影响 | 第58-66页 |
| ·NaBH_4加入方式对铟颗粒形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·不同反应温度对铟颗粒形貌的影响 | 第59-60页 |
| ·不同有机物添加剂种类对铟颗粒形貌的影响 | 第60-62页 |
| ·溶剂对铟颗粒形貌的影响 | 第62-65页 |
| ·反应速度对铟颗粒形貌的影响 | 第65-66页 |
| ·快速注入法制备铟颗粒 | 第66-74页 |
| ·反应温度对制备铟颗粒形貌的影响 | 第66-67页 |
| ·氯化铟量(浓度)对铟颗粒形貌的影响 | 第67-68页 |
| ·反应时间对铟颗粒的影响 | 第68-69页 |
| ·三乙醇胺(TEA)作为有机添加剂制备铟颗粒 | 第69-74页 |
| ·铜铟合金颗粒的制备 | 第74-79页 |
| ·不同铜铟比合金颗粒的制备 | 第75-77页 |
| ·反应温度对合金颗粒的影响 | 第77-78页 |
| ·反应时间对合金颗粒的影响 | 第78页 |
| ·不同添加剂对铜铟颗粒影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-82页 |
| 5 铜铟、铟颗粒的热稳定性 | 第82-92页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·铜铟颗粒的热稳定性 | 第82-85页 |
| ·铟颗粒的热稳定性 | 第85-87页 |
| ·氧化铟纳米线的生长机理 | 第87-90页 |
| ·本章结论 | 第90-92页 |
| 6 前驱体薄膜及CuInS_2薄膜的制备 | 第92-102页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·化学水浴法结合后补铜/铟法制备CuInS_2薄膜 | 第92-97页 |
| ·硫化铜补铟法制备CuInS_2薄膜 | 第92-96页 |
| ·硫化铟补铜制备CuInS_2薄膜 | 第96-97页 |
| ·分层法和混合法制备铜铟金属薄膜及CuInS_2薄膜 | 第97-101页 |
| ·本章结论 | 第101-102页 |
| 7 CuInS_2薄膜在硫化时的结构变化 | 第102-124页 |
| ·引言 | 第102页 |
| ·实验条件 | 第102-103页 |
| ·前驱体铜铟薄膜的形貌 | 第103-104页 |
| ·不同铜铟比例前驱体对CuInS_2薄膜的影响 | 第104-112页 |
| ·硫化温度对CuInS_2薄膜的影响 | 第112-114页 |
| ·衬底对制备CuInS_2薄膜结构的影响 | 第114-117页 |
| ·硫化后制备的CuInS_2薄膜的截面形貌 | 第117-119页 |
| ·掺钠对CuInS_2薄膜结构的影响 | 第119-120页 |
| ·不同硫源量对CuInS_2结构的影响 | 第120-122页 |
| ·本章小结 | 第122-124页 |
| 8 CuInS_2薄膜太阳电池的制备与表征 | 第124-132页 |
| ·引言 | 第124页 |
| ·CdS缓冲层的制备 | 第124-125页 |
| ·窗口层的制备 | 第125-128页 |
| ·不同CdS层厚度对电池性能的影响 | 第128-129页 |
| ·阻挡层i-ZnO厚度对电池性能的影响 | 第129-130页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池的非稳定性 | 第130-131页 |
| ·本章结论 | 第131-132页 |
| 9 全文结论 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-148页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第148-149页 |
