利用表面等离激元技术提高发光二极管发光效率的研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-16页 |
| 论文中常用符号说明 | 第16-17页 |
| 第一章 引言 | 第17-51页 |
| ·研究背景 | 第17-22页 |
| ·GaN半导体发光器件的诞生 | 第17-20页 |
| ·LED中的电光转换:电子与空穴的复合 | 第20-22页 |
| ·LED基础知识 | 第22-29页 |
| ·LED的效率 | 第22-23页 |
| ·光逃逸圆锥 | 第23-25页 |
| ·辐射图样 | 第25页 |
| ·封装 | 第25-26页 |
| ·LED的辐射谱 | 第26-29页 |
| ·关于LED效率的讨论 | 第29-46页 |
| ·对内量子效率的讨论 | 第30-36页 |
| ·双异质结构 | 第30-31页 |
| ·活性区掺杂 | 第31-32页 |
| ·p-n结错位 | 第32页 |
| ·限制层的掺杂 | 第32-34页 |
| ·非辐射复合 | 第34-35页 |
| ·晶格失配 | 第35-36页 |
| ·对光提取效率的讨论 | 第36-46页 |
| ·半导体中能量小于带隙的光的吸收 | 第36-38页 |
| ·双异质结构的影响 | 第38-39页 |
| ·LED芯片的形状 | 第39-41页 |
| ·半导体表面粗化 | 第41-42页 |
| ·金属电极的形状 | 第42-43页 |
| ·透明衬底技术 | 第43页 |
| ·光学增透膜 | 第43-44页 |
| ·倒装结构 | 第44-45页 |
| ·光子晶体 | 第45-46页 |
| ·表面等离激元简介 | 第46-48页 |
| ·本论文研究的问题 | 第48-49页 |
| ·课题的意义及论文安排 | 第49-51页 |
| 第二章 数值算法 | 第51-68页 |
| ·电磁场数值仿真的背景介绍 | 第51页 |
| ·FDTD的基本原理 | 第51-56页 |
| ·Yee元胞 | 第52-54页 |
| ·FDTD直角坐标系下差分公式 | 第54-56页 |
| ·稳定性条件和数值色散 | 第56-57页 |
| ·边界条件 | 第57-63页 |
| ·Mur吸收边界条件 | 第58页 |
| ·想匹配层吸收边界 | 第58-63页 |
| ·激励源的设置 | 第63-67页 |
| ·随时间变化的源 | 第63-65页 |
| ·点源 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 异常光传输与LED光提取效率 | 第68-79页 |
| ·异常光传输现象简介 | 第68-72页 |
| ·二维亚波长孔洞阵列的异常光传输 | 第68-70页 |
| ·周期性皱纹图案环绕的单孔中的异常光传输 | 第70-72页 |
| ·LED中的异常光传输 | 第72-78页 |
| ·GaN LED结构中异常光传输的仿真模型 | 第73-74页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 表面等离激元和LED量子阱的相互耦合 | 第79-88页 |
| ·表面等离激元与量子阱的耦合原理 | 第79-81页 |
| ·表面等离元-量子阱耦合在GaN LED中的应用 | 第81-87页 |
| ·表面等离激元GaN LED模型的建立 | 第81-82页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 表面等离激元LED全参数仿真 | 第88-96页 |
| ·半导体器件仿真简介 | 第88-89页 |
| ·表面等离激元GaN LED电热参数仿真 | 第89-95页 |
| ·GaN LED半导体模型的建立 | 第89-90页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第90-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-98页 |
| ·本论文主要研究工作和结果 | 第96-97页 |
| ·建议和展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 博士期间发表的学术论文 | 第106-107页 |
| 附 英文论文两篇 | 第107-120页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第120页 |
