摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 前言 | 第12-13页 |
1.2 金刚石的晶体结构 | 第13-14页 |
1.3 金刚石的性能 | 第14-20页 |
1.3.1 金刚石的力学性能 | 第14-15页 |
1.3.2 金刚石的光学性能 | 第15-16页 |
1.3.3 金刚石的电学性能 | 第16-18页 |
1.3.4 金刚石的热学性能 | 第18-19页 |
1.3.5 金刚石的其他性能 | 第19-20页 |
1.4 微波等离子体CVD法生长金刚石及缺陷的研究 | 第20-23页 |
1.4.1 微波等离子体CVD法生长金刚石 | 第20-21页 |
1.4.2 单晶金刚石缺陷研究现状 | 第21-23页 |
1.5 选题的主要意义及研究内容 | 第23-26页 |
第2章 实验装置及测试表征方法 | 第26-34页 |
2.1 实验装置 | 第26-31页 |
2.1.1 微波等离子体装置 | 第26-30页 |
2.1.2 金刚石抛光机 | 第30页 |
2.1.3 激光切割机 | 第30-31页 |
2.2 检测手段 | 第31-34页 |
2.2.1 等离子体发射光谱(Optical Emission Spectroscopy,OES) | 第31-32页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM) | 第32页 |
2.2.3 激光拉曼光谱(Laser Raman Spectroscopy,LRS) | 第32-33页 |
2.2.4 X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD) | 第33-34页 |
第3章 种晶温度对单晶金刚石缺陷生长的影响 | 第34-48页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 单晶衬底预处理 | 第35页 |
3.3 种晶温度对等离子体发射光谱和金刚石生长速率的影响 | 第35-38页 |
3.3.1 种晶温度对等离子体发射光谱的影响 | 第35-37页 |
3.3.2 种晶温度对生长速率的影响 | 第37-38页 |
3.4 种晶温度对单晶金刚石生长前后缺陷形貌的影响 | 第38-41页 |
3.5 种晶温度对单晶金刚石生长质量的影响 | 第41-44页 |
3.6 在适中种晶温度下高质量单晶金刚石的生长实例 | 第44-46页 |
3.7 本章小结 | 第46-48页 |
第4章 甲烷浓度对单晶金刚石缺陷生长的影响 | 第48-56页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 甲烷浓度对等离子体发射光谱和金刚石生长速率的影响 | 第48-50页 |
4.2.1 甲烷浓度对等离子体发射光谱的影响 | 第48-49页 |
4.2.2 甲烷浓度对生长速率的影响 | 第49-50页 |
4.3 甲烷浓度对单晶金刚石生长前后缺陷形貌的影响 | 第50-52页 |
4.4 甲烷浓度对单晶金刚石生长质量的影响 | 第52-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-56页 |
第5章 单晶金刚石扩大的研究 | 第56-68页 |
5.1 引言 | 第56页 |
5.2 生长面处理对单晶金刚石扩大的影响 | 第56-58页 |
5.3 侧面处理对单晶金刚石扩大的影响 | 第58-60页 |
5.4 衬底托槽结构对单晶金刚石扩大的影响 | 第60-63页 |
5.5 单晶金刚石扩大方法 | 第63-66页 |
5.6 本章小结 | 第66-68页 |
第6章 全文总结和展望 | 第68-72页 |
6.1 论文总结 | 第68-70页 |
6.2 论文展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
攻读硕士期间已发表的论文 | 第78-80页 |
致谢 | 第80页 |