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单晶金刚石外延生长的缺陷研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第12-26页
    1.1 前言第12-13页
    1.2 金刚石的晶体结构第13-14页
    1.3 金刚石的性能第14-20页
        1.3.1 金刚石的力学性能第14-15页
        1.3.2 金刚石的光学性能第15-16页
        1.3.3 金刚石的电学性能第16-18页
        1.3.4 金刚石的热学性能第18-19页
        1.3.5 金刚石的其他性能第19-20页
    1.4 微波等离子体CVD法生长金刚石及缺陷的研究第20-23页
        1.4.1 微波等离子体CVD法生长金刚石第20-21页
        1.4.2 单晶金刚石缺陷研究现状第21-23页
    1.5 选题的主要意义及研究内容第23-26页
第2章 实验装置及测试表征方法第26-34页
    2.1 实验装置第26-31页
        2.1.1 微波等离子体装置第26-30页
        2.1.2 金刚石抛光机第30页
        2.1.3 激光切割机第30-31页
    2.2 检测手段第31-34页
        2.2.1 等离子体发射光谱(Optical Emission Spectroscopy,OES)第31-32页
        2.2.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)第32页
        2.2.3 激光拉曼光谱(Laser Raman Spectroscopy,LRS)第32-33页
        2.2.4 X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)第33-34页
第3章 种晶温度对单晶金刚石缺陷生长的影响第34-48页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 单晶衬底预处理第35页
    3.3 种晶温度对等离子体发射光谱和金刚石生长速率的影响第35-38页
        3.3.1 种晶温度对等离子体发射光谱的影响第35-37页
        3.3.2 种晶温度对生长速率的影响第37-38页
    3.4 种晶温度对单晶金刚石生长前后缺陷形貌的影响第38-41页
    3.5 种晶温度对单晶金刚石生长质量的影响第41-44页
    3.6 在适中种晶温度下高质量单晶金刚石的生长实例第44-46页
    3.7 本章小结第46-48页
第4章 甲烷浓度对单晶金刚石缺陷生长的影响第48-56页
    4.1 引言第48页
    4.2 甲烷浓度对等离子体发射光谱和金刚石生长速率的影响第48-50页
        4.2.1 甲烷浓度对等离子体发射光谱的影响第48-49页
        4.2.2 甲烷浓度对生长速率的影响第49-50页
    4.3 甲烷浓度对单晶金刚石生长前后缺陷形貌的影响第50-52页
    4.4 甲烷浓度对单晶金刚石生长质量的影响第52-54页
    4.5 本章小结第54-56页
第5章 单晶金刚石扩大的研究第56-68页
    5.1 引言第56页
    5.2 生长面处理对单晶金刚石扩大的影响第56-58页
    5.3 侧面处理对单晶金刚石扩大的影响第58-60页
    5.4 衬底托槽结构对单晶金刚石扩大的影响第60-63页
    5.5 单晶金刚石扩大方法第63-66页
    5.6 本章小结第66-68页
第6章 全文总结和展望第68-72页
    6.1 论文总结第68-70页
    6.2 论文展望第70-72页
参考文献第72-78页
攻读硕士期间已发表的论文第78-80页
致谢第80页

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