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二维MoS2基异质结的构筑及其光探测性能的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-41页
    1.1 二维材料的兴起第10-12页
    1.2 二维过渡金属硫属化合物光电探测器第12-20页
    1.3 二维MoS_2的合成与光电探测器性能第20-33页
    1.4 优化二维MoS_2光电性能的策略第33-39页
    1.5 本文的选题思路和主要研究内容第39-41页
2 外延生长P-GaSe/N-MoS_2垂直异质结及其光电性能的探究第41-61页
    2.1 引言第41-42页
    2.2 实验部分第42-47页
    2.3 结果与讨论第47-60页
    2.4 本章小结第60-61页
3 堆垛模式限制生长2H-MoTe_2/MoS_2双层异质结及其光电性能的探究第61-75页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 实验部分第62-64页
    3.3 结果与讨论第64-74页
    3.4 本章小结第74-75页
4 构筑(NaYF_4:Yb/Er@NaYF_4:Nd/Yb)/MoS_2复合材料及其光电性能探究第75-92页
    4.1 引言第75-77页
    4.2 实验部分第77-80页
    4.3 结果与讨论第80-91页
    4.4 本章小结第91-92页
5 全文总结第92-95页
    5.1 主要结论第92-93页
    5.2 本文的创新之处第93页
    5.3 相关工作展望第93-95页
致谢第95-97页
参考文献第97-118页
附录1 攻读博士学位期间发表的论文第118-120页
附录2 攻读博士学位期间参加学术活动情况第120-121页
附录3 攻读博士学位期间获奖情况第121-122页

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