中子辐照6H-SiC单晶的缺陷回复研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第6-10页 |
| 1.1 引言 | 第6-7页 |
| 1.2 碳化硅辐照损伤的国内、外研究现状 | 第7-8页 |
| 1.2.1 国内研究现状 | 第7-8页 |
| 1.2.2 国外研究现状 | 第8页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第8-10页 |
| 第2章 SiC的基本性质、缺陷及辐照效应 | 第10-30页 |
| 2.1 SiC的基本性质 | 第10-11页 |
| 2.1.1 SiC的光学性质 | 第10页 |
| 2.1.2 SiC的电学性质 | 第10-11页 |
| 2.2 SiC的晶体结构 | 第11-12页 |
| 2.3 晶体缺陷 | 第12-24页 |
| 2.3.1 晶体缺陷的种类 | 第12-13页 |
| 2.3.2 点缺陷的产生、迁移和复合 | 第13-19页 |
| 2.3.3 位错及其运动 | 第19-24页 |
| 2.4 辐照效应 | 第24-30页 |
| 2.4.1 中子辐照效应 | 第24-27页 |
| 2.4.2 退火及辐照损伤的回复 | 第27-30页 |
| 第3章 X射线衍射测试技术及衍射图谱分析 | 第30-38页 |
| 3.1 X射线衍射仪 | 第30-32页 |
| 3.1.1 X射线发生器 | 第30-31页 |
| 3.1.2 测角仪 | 第31-32页 |
| 3.2 XRD的基本原理 | 第32-34页 |
| 3.2.1 基本原理 | 第32页 |
| 3.2.2 X射线在晶体内的衍射 | 第32-33页 |
| 3.2.3 X射线衍射强度及半高宽 | 第33-34页 |
| 3.3 X射线衍射数据的处理和分析 | 第34-38页 |
| 3.3.1 X射线衍射数据的处理和分析 | 第34-38页 |
| 第4章 实验、结果与讨论 | 第38-52页 |
| 4.1 实验概述 | 第38-40页 |
| 4.1.1 中子辐照 | 第38页 |
| 4.1.2 退火处理 | 第38页 |
| 4.1.3 XRD测试 | 第38-40页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第40-50页 |
| 4.2.1 辐照损伤 | 第40-42页 |
| 4.2.2 入射方向对衍射图谱的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 数据处理 | 第43-44页 |
| 4.2.4 结果分析与讨论 | 第44-50页 |
| 4.3 结论 | 第50-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
