| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 AlGaN基DUV-LED简介 | 第9-14页 |
| 1.2 LSPs共振提升LED内量子效率的基本原理 | 第14-16页 |
| 1.3 LSPs共振提升LED内量子效率的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的研究内容和章节安排 | 第18-20页 |
| 2 LSPs共振提升DUV-LED内量子效率的研究方法 | 第20-31页 |
| 2.1 理论研究方法 | 第20-22页 |
| 2.2 实验研究方法 | 第22-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 深紫外波段LSPs共振结构设计 | 第31-39页 |
| 3.1 FDTD模型建立 | 第31-32页 |
| 3.2 基于Al纳米颗粒的LSPs共振 | 第32-33页 |
| 3.3 基于Al/SiO_2复合结构的LSPs共振 | 第33-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 Al/SiO_2复合结构提升AlGaN基深紫外量子阱内量子效率 | 第39-55页 |
| 4.1 AlGaN基深紫外量子阱材料的外延生长与表征 | 第39-41页 |
| 4.2 基于纳米球刻蚀技术制备Al/SiO_2复合结构 | 第41-45页 |
| 4.3 Al/SiO_2复合结构增强型深紫外量子阱的光致发光测试 | 第45-48页 |
| 4.4 Al/SiO_2复合结构提升深紫外量子阱的发光机制分析 | 第48-51页 |
| 4.5 Al/SiO_2复合结构增强型DUV-LED芯片工艺探索 | 第51-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 工作总结 | 第55-56页 |
| 5.2 工作展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第66页 |
