基于铜（Ⅰ）、7，7，8，8-四氰基对苯二甲烷（TCNQ）复合材料的液相制备
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目次 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-35页 |
| ·引言 | 第12-18页 |
| ·TCNQ盐类的发展历程 | 第18-21页 |
| ·电荷转移络合物的导电机理 | 第21-23页 |
| ·电荷转移复合物分子设计 | 第23-26页 |
| ·有机导体和半导体的制备 | 第26-33页 |
| ·扩散法 | 第26-27页 |
| ·晶种投入法 | 第27-28页 |
| ·饱和溶液慢冷法 | 第28页 |
| ·热溶液混合法 | 第28-29页 |
| ·自发腐蚀法 | 第29-31页 |
| ·光辅助结晶法 | 第31页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第31-32页 |
| ·电化学法 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| ·课题的提出及意义 | 第33-35页 |
| 2 含一价铜的有机无机杂化钙钛矿晶体的制备 | 第35-42页 |
| ·简介 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·试剂 | 第36-37页 |
| ·有机铵盐的制备 | 第37页 |
| ·含一价铜的有机无机杂化钙钛矿晶体的制备 | 第37页 |
| ·样品测试方法 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 3 铅-TCNQ多晶薄膜的合成和表征 | 第42-58页 |
| ·简介 | 第42-44页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·试剂 | 第44-45页 |
| ·铅箔预处理 | 第45页 |
| ·铅-TCNQ晶体的制备 | 第45页 |
| ·铅-TCNQ晶体的表征 | 第45页 |
| ·铅-TCNQ反应的电化学研究 | 第45-46页 |
| ·铅-TCNQ晶体的光谱分析 | 第46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-57页 |
| ·铅-TCNQ晶体反应机理研究 | 第46-51页 |
| ·水的用量对薄膜形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·生长时间对薄膜形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·表面处理方式对薄膜形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·改变基底对薄膜形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| 4 电沉积法制备铅TCNQ薄膜 | 第58-71页 |
| ·引言 | 第58-61页 |
| ·电沉积法在制备晶体中的应用 | 第58页 |
| ·电沉积法的基本步骤和法则 | 第58-59页 |
| ·电沉积法的控制参数 | 第59-61页 |
| ·实验部分 | 第61-63页 |
| ·试剂 | 第61-62页 |
| ·电极的清洗 | 第62页 |
| ·电解液的配制 | 第62页 |
| ·电解池的组装 | 第62-63页 |
| ·测试方法 | 第63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-69页 |
| ·循环伏安结果与讨论 | 第63-65页 |
| ·沉积电势对薄膜的影响 | 第65-67页 |
| ·红外光谱和紫外光谱 | 第67-68页 |
| ·X射线衍射 | 第68-69页 |
| ·热分析 | 第69页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 5 主要结论和创新点 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-84页 |
