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过渡金属化合物表面与界面调控及其电化学储能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第11-38页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 电化学储能理论基础第13-21页
    1.3 实验研究进展第21-30页
    1.4 理论计算设计与分析第30-35页
    1.5 本论文的研究目的及研究内容第35-38页
2 高电化学活性晶面调控第38-48页
    2.1 研究背景第38-39页
    2.2 计算方法与模型第39-40页
    2.3 不同表面的电化学性质探究第40-44页
    2.4 高电化学活性表面重构及其机理第44-47页
    2.5 本章小结第47-48页
3 表面掺杂对导电性和电化学活性的调控第48-60页
    3.1 研究背景第48-49页
    3.2 计算方法与模型第49-50页
    3.3 体材料和材料表面基本性质第50-51页
    3.4 体内掺杂和对空位形成能的影响第51-53页
    3.5 表面掺杂和对空位形成能的影响第53-56页
    3.6 表面掺杂对电化学性能影响的机理讨论第56-59页
    3.7 本章小结第59-60页
4 二维材料表面氨基酸修饰第60-72页
    4.1 研究背景第60-61页
    4.2 实验和计算方法第61-63页
    4.3 材料表面和氨基酸分子的相互作用第63-64页
    4.4 材料表征第64-67页
    4.5 表面氨基酸修饰对电子存储性能的影响第67-71页
    4.6 本章小结第71-72页
5 聚合物重构二维材料界面结构第72-83页
    5.1 研究背景第72-73页
    5.2 实验和计算方法第73-74页
    5.3 界面电子传输导致单体聚合第74-77页
    5.4 材料表面有机物聚合机理第77-79页
    5.5 层间有机聚合物对二维过渡金属碳化物储锂的影响第79-81页
    5.6 本章小结第81-83页
6 二维异质结构对电子与离子传输的影响第83-97页
    6.1 研究背景第83-84页
    6.2 实验和计算方法第84-86页
    6.3 过渡金属碳化物部分硫化形成的二维异质结构第86-91页
    6.4 二维异质结构锂离子存储性能第91-93页
    6.5 二维界面对锂离子存储影响的探究第93-96页
    6.6 本章小结第96-97页
7 全文总结与工作展望第97-101页
    7.1 本文工作总结第97-100页
    7.2 下一步工作展望第100-101页
致谢第101-103页
参考文献第103-117页
附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文第117-121页
附录2 攻读博士学位期间获奖情况第121-122页
附录3 密度泛函理论第122-126页

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