| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 本文研究的背景 | 第10-14页 |
| 1.2 NAND闪存技术的国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文研究的主要内容及创新点 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第18-20页 |
| 2 3D NAND存储器读写机制与架构 | 第20-53页 |
| 2.1 NAND Flash读写机制 | 第20-42页 |
| 2.2 3D NAND Flash存储器物理架构 | 第42-51页 |
| 2.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 3 QLC NAND Flash研究和设计 | 第53-76页 |
| 3.1 F-N隧穿效应与QLC NAND数据存储 | 第53-56页 |
| 3.2 QLC NAND写读操作机制研究与设计 | 第56-61页 |
| 3.3 QLC NAND改进型写算法研究 | 第61-64页 |
| 3.4 3D QLC NAND闪存存储器结构与芯片设计 | 第64-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 4 3D NAND数据错误及QLC改进型数据映射 | 第76-93页 |
| 4.1 3D NAND的数据错误 | 第76-80页 |
| 4.2 QLC NAND的改进型格雷码编码设计与实现 | 第80-91页 |
| 4.3 本章小结 | 第91-93页 |
| 5 QLC NAND ECC纠错和Soft-bit信息生成 | 第93-113页 |
| 5.1 NAND数据模型及编码 | 第93-95页 |
| 5.2 ECC算法 | 第95-102页 |
| 5.3 QLC soft-bit信息生成与实现 | 第102-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 6 总结和展望 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-127页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文情况 | 第127-128页 |
| 附录2 缩略语 | 第128-129页 |
