| 致谢 | 第7-9页 |
| 摘要 | 第9-10页 |
| abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第16-23页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 电介质及电介质材料 | 第16-20页 |
| 1.2.1 电介质的简介 | 第16-17页 |
| 1.2.2 电介质材料的几种特殊效应 | 第17-18页 |
| 1.2.3 电介质材料的分类及应用 | 第18-19页 |
| 1.2.4 电子陶瓷材料及其制备 | 第19-20页 |
| 1.3 介电材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的研究内容和意义 | 第21-22页 |
| 1.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 测试技术及分析原理 | 第23-30页 |
| 2.1 表征方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 X射线衍射分析 | 第23页 |
| 2.1.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.1.3 X射线能谱(XPS) | 第24页 |
| 2.1.4 拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第24-25页 |
| 2.1.5 相对密度的测定 | 第25页 |
| 2.2 介电性能的测试 | 第25-29页 |
| 2.2.1 介电常数的测量 | 第25页 |
| 2.2.2 介电谱 | 第25-27页 |
| 2.2.3 介电函数的分析 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 电介质理论基础 | 第30-42页 |
| 3.1 电介质的基本概念与特征 | 第30-31页 |
| 3.2 电介质的极化机制 | 第31-36页 |
| 3.3 常见的介电参数 | 第36-37页 |
| 3.4 介电弛豫理论 | 第37-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 样品制备 | 第42-48页 |
| 4.1 样品的制备 | 第42-46页 |
| 4.1.1 SiC基陶瓷样品的制备方法 | 第42页 |
| 4.1.2 SiC陶瓷的烧结方法和特点简介 | 第42-45页 |
| 4.1.3 SiC陶瓷的制备 | 第45-46页 |
| 4.2 实验条件、材料及设备 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 SiC的基本性质及研究现状 | 第48-54页 |
| 5.1 SiC的多型结构 | 第48-50页 |
| 5.2 SiC的光学性质 | 第50-51页 |
| 5.3 SiC的电学性质 | 第51-52页 |
| 5.4 SiC的热稳定性 | 第52页 |
| 5.5 SiC的掺杂 | 第52页 |
| 5.6 SiC材料的研究现状 | 第52-53页 |
| 5.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 SiC陶瓷的介电性能研究 | 第54-62页 |
| 6.1 SiC陶瓷的结构表征和微观形貌分析 | 第54-55页 |
| 6.2 SiC陶瓷的介电数据分析 | 第55-61页 |
| 6.2.1 介电温谱分析 | 第55-56页 |
| 6.2.2 介电模量谱分析 | 第56-58页 |
| 6.2.3 介电阻抗谱分析 | 第58-61页 |
| 6.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第七章 全文总结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第67-68页 |