摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10页 |
第一章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 碳纳米管简介 | 第11-16页 |
1.1.1 碳纳米管的发现 | 第11-12页 |
1.1.2 碳纳米管的结构 | 第12-14页 |
1.1.3 碳纳米管的特性 | 第14-16页 |
1.2 CVD简介 | 第16-18页 |
1.2.1 CVD介绍 | 第16-17页 |
1.2.2 CVD生长机理解释 | 第17-18页 |
1.3 铜基底CNT阵列的生长的现状及影响因素 | 第18-25页 |
1.3.1 铜基底CNT阵列生长现状 | 第18-20页 |
1.3.2 催化剂的影响 | 第20-21页 |
1.3.3 缓冲层的影响 | 第21-22页 |
1.3.4 生长环境的影响 | 第22-24页 |
1.3.5 水分子对于阵列的影响 | 第24-25页 |
1.4 本文的研究内容及结构 | 第25-26页 |
第二章 铜基底制备CNT阵列及各因素的探究 | 第26-42页 |
2.1 实验材料的准备和处理 | 第26-28页 |
2.1.1 铜基底的处理 | 第26页 |
2.1.2 基底的镀膜 | 第26-28页 |
2.2 通氢温度对于阵列的影响 | 第28-30页 |
2.2.1 实验条件 | 第28页 |
2.2.2 实验过程 | 第28-29页 |
2.2.3 实验结果与分析 | 第29-30页 |
2.3 气氛稳定性研究 | 第30-34页 |
2.3.1 对于乙炔稳定性的研究 | 第30-31页 |
2.3.2 对于氢气稳定性的研究 | 第31-33页 |
2.3.3 对于氩气稳定性的研究 | 第33-34页 |
2.3.4 气体稳定性的结果分析 | 第34页 |
2.4 催化剂生长效果及机理的研究 | 第34-37页 |
2.4.1 不同催化剂对于CNT阵列生长效果的研究 | 第34-35页 |
2.4.2 催化剂厚度不同的影响 | 第35-36页 |
2.4.3 碳纳米管的析出方式和生长方式 | 第36-37页 |
2.5 缓冲层的影响 | 第37-41页 |
2.5.1 不同缓冲层的对于阵列的影响 | 第37-39页 |
2.5.2 缓冲层厚度的影响 | 第39-41页 |
2.6 本章总结 | 第41-42页 |
第三章 铜基底超长阵列的制备 | 第42-51页 |
3.1 通水装置的改装 | 第42-44页 |
3.1.1 CVD气体质量流量计介绍 | 第42-43页 |
3.1.2 气体质量流量计改装 | 第43-44页 |
3.2 通水生长实验过程 | 第44-46页 |
3.2.1 前期处理 | 第44页 |
3.2.2 通水实验 | 第44-46页 |
3.3 不同的金属基底上生长CNT阵列 | 第46-50页 |
3.3.1 材料的选取、处理、实验过程和前期状态 | 第46-47页 |
3.3.2 表征结果及分析 | 第47-50页 |
3.3.3 小结 | 第50页 |
3.4 本章总结 | 第50-51页 |
第四章 导热性能测试 | 第51-58页 |
4.1 系统搭建与初测试 | 第51-54页 |
4.1.1 系统搭建 | 第51-52页 |
4.1.2 铜基底不同厚度CNT阵列导热实验分析 | 第52-54页 |
4.2 碳纳米管与In导热的比较 | 第54-57页 |
4.3 本章小结 | 第57-58页 |
结束语 | 第58-60页 |
5.1 结论 | 第58-59页 |
5.2 展望 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-70页 |
作者在学习期间取得的学术成果 | 第70页 |