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铜基碳纳米管阵列可控制备与导热性能研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-26页
    1.1 碳纳米管简介第11-16页
        1.1.1 碳纳米管的发现第11-12页
        1.1.2 碳纳米管的结构第12-14页
        1.1.3 碳纳米管的特性第14-16页
    1.2 CVD简介第16-18页
        1.2.1 CVD介绍第16-17页
        1.2.2 CVD生长机理解释第17-18页
    1.3 铜基底CNT阵列的生长的现状及影响因素第18-25页
        1.3.1 铜基底CNT阵列生长现状第18-20页
        1.3.2 催化剂的影响第20-21页
        1.3.3 缓冲层的影响第21-22页
        1.3.4 生长环境的影响第22-24页
        1.3.5 水分子对于阵列的影响第24-25页
    1.4 本文的研究内容及结构第25-26页
第二章 铜基底制备CNT阵列及各因素的探究第26-42页
    2.1 实验材料的准备和处理第26-28页
        2.1.1 铜基底的处理第26页
        2.1.2 基底的镀膜第26-28页
    2.2 通氢温度对于阵列的影响第28-30页
        2.2.1 实验条件第28页
        2.2.2 实验过程第28-29页
        2.2.3 实验结果与分析第29-30页
    2.3 气氛稳定性研究第30-34页
        2.3.1 对于乙炔稳定性的研究第30-31页
        2.3.2 对于氢气稳定性的研究第31-33页
        2.3.3 对于氩气稳定性的研究第33-34页
        2.3.4 气体稳定性的结果分析第34页
    2.4 催化剂生长效果及机理的研究第34-37页
        2.4.1 不同催化剂对于CNT阵列生长效果的研究第34-35页
        2.4.2 催化剂厚度不同的影响第35-36页
        2.4.3 碳纳米管的析出方式和生长方式第36-37页
    2.5 缓冲层的影响第37-41页
        2.5.1 不同缓冲层的对于阵列的影响第37-39页
        2.5.2 缓冲层厚度的影响第39-41页
    2.6 本章总结第41-42页
第三章 铜基底超长阵列的制备第42-51页
    3.1 通水装置的改装第42-44页
        3.1.1 CVD气体质量流量计介绍第42-43页
        3.1.2 气体质量流量计改装第43-44页
    3.2 通水生长实验过程第44-46页
        3.2.1 前期处理第44页
        3.2.2 通水实验第44-46页
    3.3 不同的金属基底上生长CNT阵列第46-50页
        3.3.1 材料的选取、处理、实验过程和前期状态第46-47页
        3.3.2 表征结果及分析第47-50页
        3.3.3 小结第50页
    3.4 本章总结第50-51页
第四章 导热性能测试第51-58页
    4.1 系统搭建与初测试第51-54页
        4.1.1 系统搭建第51-52页
        4.1.2 铜基底不同厚度CNT阵列导热实验分析第52-54页
    4.2 碳纳米管与In导热的比较第54-57页
    4.3 本章小结第57-58页
结束语第58-60页
    5.1 结论第58-59页
    5.2 展望第59-60页
致谢第60-62页
参考文献第62-70页
作者在学习期间取得的学术成果第70页

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