| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 研究结果与创新之处 | 第10-17页 |
| 第一章 应变诱导高分子体系结晶 | 第17-60页 |
| 1.1 高分子体系的结晶 | 第18-21页 |
| 1.2 高分子晶体的成核 | 第21-26页 |
| 1.2.1 均相成核 | 第24-25页 |
| 1.2.2 异相成核 | 第25-26页 |
| 1.2.3 自成核 | 第26页 |
| 1.3 高分子晶体的生长动力学 | 第26-29页 |
| 1.4 应变诱导高分子结晶 | 第29-43页 |
| 1.4.2 拉伸过程中成核模式的转化 | 第37-39页 |
| 1.4.3 拉伸各个阶段链折叠概率的变化 | 第39-41页 |
| 1.4.4 拉伸过程中的熔点变化以及共聚单元的影响 | 第41-43页 |
| 1.5 二元共混高分子体系的成核(以PLA为例) | 第43-44页 |
| 1.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 1.7 参考文献 | 第45-60页 |
| 第二章 计算机模拟简介 | 第60-72页 |
| 2.1 高分子结晶的计算机模拟 | 第61-62页 |
| 2.2 蒙特卡洛模拟方法 | 第62-63页 |
| 2.3 动态蒙特卡洛对高分子结晶过程中链运动的模拟 | 第63-70页 |
| 2.3.1 三维格子空间 | 第63-64页 |
| 2.3.2 元胞及边界条件 | 第64-65页 |
| 2.3.3 高分子链的运动形式 | 第65-67页 |
| 2.3.4 高分子链运动过程中的能量参数 | 第67-70页 |
| 2.4 本章小结 | 第70页 |
| 2.5 参考文献 | 第70-72页 |
| 第三章 应变诱导无规共聚物结晶的记忆效应 | 第72-91页 |
| 3.1 背景介绍 | 第72-75页 |
| 3.2 模拟方法 | 第75-77页 |
| 3.3 模拟结果和讨论 | 第77-88页 |
| 3.3.1 第一次拉伸-回弹循环中均聚物的结晶行为 | 第77-79页 |
| 3.3.2 第一次拉伸-回弹循环中无规共聚物的结晶行为 | 第79-83页 |
| 3.3.3 多次拉伸-回弹循环中均聚物和无规共聚物的结晶行为 | 第83-88页 |
| 3.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 3.5 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 短链支化对于应变诱导支化高分子结晶的影响 | 第91-111页 |
| 4.1 背景介绍 | 第91-92页 |
| 4.2 模拟方法 | 第92-98页 |
| 4.3 模拟结果和讨论 | 第98-107页 |
| 4.3.1 支化链序列分布 | 第98-100页 |
| 4.3.2 支化链数目和链长的影响 | 第100-103页 |
| 4.3.3 主链和侧链的结晶度分布 | 第103-104页 |
| 4.3.4 不同组分线形链和支化链的共混物的应变诱导结晶 | 第104-107页 |
| 4.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 4.5 参考文献 | 第108-111页 |
| 第五章 应变诱导对立构复合晶成核的增强作用 | 第111-129页 |
| 5.1 背景介绍 | 第111-114页 |
| 5.2 模拟方法 | 第114-115页 |
| 5.3 模拟结果与讨论 | 第115-124页 |
| 5.4 本章小结 | 第124-125页 |
| 5.5 参考文献 | 第125-129页 |
| 第六章 总结与展望 | 第129-132页 |
| 6.1 总结 | 第129-131页 |
| 6.2 展望 | 第131-132页 |
| 简历与科研成果 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
