| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 阻变式随机存取存储器 | 第9-11页 |
| 1.3 阻变行为分类 | 第11-12页 |
| 1.4 阻变机制分类 | 第12-14页 |
| 1.5 介电材料的研究历程 | 第14页 |
| 1.6 导电原子力显微镜在材料电学性质分析中的应用 | 第14-15页 |
| 1.7 本论文的研究内容及主要意义 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-23页 |
| 第二章 基于二氧化钛/氧化硅的阻变存储器 | 第23-52页 |
| 2.1 引言 | 第23-25页 |
| 2.2 实验仪器及材料试剂 | 第25-26页 |
| 2.3 基于二氧化钛/氧化硅各类结构的制备 | 第26-30页 |
| 2.3.1 二氧化钛的生长 | 第26-28页 |
| 2.3.2 阻变结构的制备 | 第28-29页 |
| 2.3.3 阻变结构的表征方法 | 第29-30页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第30-44页 |
| 2.4.1 阻变结构的形貌表征 | 第30-32页 |
| 2.4.2 阻变结构的微米级电学性质 | 第32-36页 |
| 2.4.3 不同材料组合、电压极性及温度对阻变结构性能的影响 | 第36-39页 |
| 2.4.4 阻变结构的纳米级电学性质 | 第39-42页 |
| 2.4.5 低偏压下阻变结构的电学性质 | 第42-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 第三章 氧化石墨烯的电学性质研究 | 第52-71页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 实验仪器与材料 | 第53-54页 |
| 3.3 GO薄膜的制备和表征方法 | 第54-56页 |
| 3.3.1 GO薄膜的制备 | 第54-55页 |
| 3.3.2 GO薄膜的表征方法 | 第55-56页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第56-67页 |
| 3.4.1 GO薄膜的表面形貌 | 第56-58页 |
| 3.4.2 Au/Ti/20cyclesGO/p++Si结构的电学性质 | 第58-60页 |
| 3.4.3 Pt/20cyclesGO/p++Si结构的电学性质 | 第60-62页 |
| 3.4.4 电压极性和膜厚对GO薄膜介电击穿行为的影响 | 第62-64页 |
| 3.4.5 20cyclesGO/p++Si结构的纳米级电学性质 | 第64-66页 |
| 3.4.6 Au/Ti/1cycleGO/p++Si结构的电学性质 | 第66页 |
| 3.4.7 Au/Ti/15nmHfO2/p++Si结构的电学性质 | 第66-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间本人公开发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
