| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 太赫兹波及太赫兹探测器的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2 热释电材料及太赫兹热释电探测器 | 第11-13页 |
| 1.2.1 热释电材料的分类及研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 太赫兹热释电探测器的发展 | 第12-13页 |
| 1.3 选题意义及主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 基于PVDF薄膜的太赫兹热释电单元器件设计 | 第15-27页 |
| 2.1 聚偏氟乙烯（PVDF）热释电材料 | 第15-18页 |
| 2.1.1 PVDF的结构 | 第15-17页 |
| 2.1.2 PVDF的特性 | 第17页 |
| 2.1.3 PVDF热释电性 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜制备的方法与选择 | 第18-20页 |
| 2.2.1 溶胶凝胶法 | 第18-19页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第19页 |
| 2.2.3 脉冲激光沉积法 | 第19页 |
| 2.2.4 金属有机化学沉积 | 第19-20页 |
| 2.2.5 蒸发沉积法 | 第20页 |
| 2.3 热释电探测器工作原理及结构设计 | 第20-22页 |
| 2.4 热释电探测器性能参数 | 第22-26页 |
| 2.4.1 探测器的响应率 | 第22-24页 |
| 2.4.2 热释电探测器的噪声等效功率及探测率 | 第24-25页 |
| 2.4.3 热释电材料优值 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 PVDF薄膜制备工艺及其性能研究 | 第27-42页 |
| 3.1 实验材料及所用仪器 | 第27-28页 |
| 3.2 PVDF薄膜制备工艺 | 第28-31页 |
| 3.2.1 衬底及下电极的制备 | 第28页 |
| 3.2.2 PVDF制备工艺条件 | 第28-30页 |
| 3.2.3 PVDF薄膜的极化工艺 | 第30-31页 |
| 3.3 测试实验结果及分析讨论 | 第31-40页 |
| 3.3.1 退火工艺对PVDF薄膜的影响 | 第32页 |
| 3.3.2 不同溶剂对PVDF薄膜相结构的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.3 不同底电极对薄膜介电性能的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.4 不同测试温度对介电性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.5 不同测试温度对薄膜漏电性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.6 PVDF薄膜电流与时间关系 | 第38页 |
| 3.3.7 薄膜铁电性能测试 | 第38-39页 |
| 3.3.8 PVDF薄膜热释电性能的测试 | 第39-40页 |
| 3.4 本章总结 | 第40-42页 |
| 第四章 基于PVDF基体的Mg(NO_3)_2·6H_2O掺杂改性研究 | 第42-51页 |
| 4.1 实验材料及工艺 | 第42-43页 |
| 4.2 实验结果测试分析和讨论 | 第43-49页 |
| 4.2.1 Mg(NO_3)_2·6H_2O对PVDF薄膜表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.2.2 Mg(NO_3)_2·6H_2O不同掺杂浓度对PVDF薄膜的相结构的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.3 Mg(NO_3)_2·6H_2O对PVDF复合薄膜介电性能的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.4 Mg(NO_3)_2·6H_2O对PVDF复合薄膜电流性能的影响 | 第47页 |
| 4.2.5 Mg(NO_3)_2·6H_2O对PVDF复合薄膜铁电性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.6 Mg(NO_3)_2·6H_2O复合薄膜的热释电优值和探测优值 | 第48-49页 |
| 4.3 诱导PVDF薄膜 β 晶相提升机理的探讨 | 第49-50页 |
| 4.4 本章总结 | 第50-51页 |
| 第五章 PVDF薄膜热释电太赫兹探测单元器件研究 | 第51-56页 |
| 5.1 PVDF薄膜太赫兹热释电探测器单元制备 | 第51-53页 |
| 5.2 太赫兹热释电探测器测试系统 | 第53-54页 |
| 5.3 探测器性能参数测试 | 第54-55页 |
| 5.4 本章总结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 6.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63-64页 |
