3300V IGBT的设计与研制
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 功率器件的分类和发展 | 第10-14页 |
| 1.2 IGBT的发展和研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3 IGBT的应用前景和本文选题意义 | 第19-20页 |
| 1.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 IGBT基础理论 | 第21-31页 |
| 2.1 IGBT结构和基本原理 | 第21-22页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第22-24页 |
| 2.3 IGBT的动态特性 | 第24-26页 |
| 2.4 IGBT的闩锁效应 | 第26-27页 |
| 2.5 仿真软件介绍 | 第27-30页 |
| 2.5.1 Medici软件介绍 | 第27-29页 |
| 2.5.2 Tsuprem4软件介绍 | 第29页 |
| 2.5.3 器件联合工艺仿真 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 IGBT元胞设计 | 第31-45页 |
| 3.1 元胞设计 | 第31-41页 |
| 3.1.1 衬底的选择 | 第31-34页 |
| 3.1.2 P-Well注入剂量的选择 | 第34-37页 |
| 3.1.3 JFET区注入剂量的选择 | 第37-38页 |
| 3.1.4 P-back区注入剂量的选择 | 第38-40页 |
| 3.1.5 元胞栅极的确定 | 第40-41页 |
| 3.2 IGBT的动态仿真 | 第41-42页 |
| 3.3 快恢复二极管的仿真 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 IGBT结终端设计 | 第45-57页 |
| 4.1 结终端理论简介 | 第45-49页 |
| 4.1.1 场限环 | 第46-47页 |
| 4.1.2 场板 | 第47-48页 |
| 4.1.3 场板结合场限环结构 | 第48-49页 |
| 4.2 结终端设计 | 第49-54页 |
| 4.3 结终端版图 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 IGBT工艺和流片测试 | 第57-67页 |
| 5.1 IGBT的工艺流程 | 第57-58页 |
| 5.2 静态测试 | 第58-64页 |
| 5.2.1 P-Well区测试 | 第58-61页 |
| 5.2.2 JFET区测试 | 第61页 |
| 5.2.3 栅长测试 | 第61-62页 |
| 5.2.4 结终端测试 | 第62-64页 |
| 5.3 IGBT动态测试 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-68页 |
| 6.1 结论 | 第67页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
