摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
1.1 压敏陶瓷的概念 | 第10-12页 |
1.2 压敏电阻主要性能参数 | 第12-15页 |
1.2.1 非线性系数 | 第12-13页 |
1.2.2 压敏电压 | 第13页 |
1.2.3 致密度 | 第13-14页 |
1.2.4 相对介电常数 | 第14页 |
1.2.5 漏电流 | 第14页 |
1.2.6 通流容量 | 第14页 |
1.2.7 残压比 | 第14-15页 |
1.3 主要的压敏陶瓷 | 第15-16页 |
1.3.1 ZnO压敏陶瓷 | 第15页 |
1.3.2 SrTiO_3压敏陶瓷 | 第15-16页 |
1.3.3 SiC压敏陶瓷 | 第16页 |
1.3.4 SnO_2压敏陶瓷 | 第16页 |
1.3.5 WO_3压敏陶瓷 | 第16页 |
1.3.6 TiO_2压敏陶瓷 | 第16页 |
1.4 研究背景、目的及意义 | 第16-17页 |
1.5 本实验的主要研究内容 | 第17-19页 |
第二章 实验设计和制备过程 | 第19-27页 |
2.0 样品制备 | 第19页 |
2.1 实验原料 | 第19页 |
2.2 实验设备 | 第19-20页 |
2.3 实验制备过程及工艺 | 第20-24页 |
2.4 样品检测方法 | 第24-27页 |
2.4.1 X射线衍射测试(XRD) | 第24-25页 |
2.4.2 扫描电子显微镜测试(SEM) | 第25页 |
2.4.3 压敏电阻直流参数仪和精密LCR阻抗分析仪 | 第25-27页 |
第三章 V~(5+)掺杂对TiO_2压敏陶瓷结构及性能的影响 | 第27-45页 |
3.1 TiO_2压敏陶瓷的理论基础 | 第27-31页 |
3.1.1 TiO_2的晶体结构 | 第27页 |
3.1.2 TiO_2的半导化 | 第27-30页 |
3.1.3 TiO_2的晶界缺陷势垒模型 | 第30-31页 |
3.2 掺V~(5+)对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 | 第31-43页 |
3.2.1 V~(5+)掺杂TiO_2压敏陶瓷的微观结构分析 | 第31-35页 |
3.2.2 样品收缩率检测 | 第35-36页 |
3.2.3 密度测试检测结果 | 第36-38页 |
3.2.4 样品电阻率检测结果 | 第38-39页 |
3.2.5 样品压敏特性检测结果 | 第39-43页 |
3.3 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 Y~(3+)掺杂对TiO_2压敏陶瓷结构及性能的影响 | 第45-57页 |
4.1 Y~(3+)掺杂对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 | 第45-54页 |
4.1.1 Y~(3+)掺杂TiO_2压敏陶瓷的微观结构分析 | 第45-48页 |
4.1.2 样品收缩率检测 | 第48-49页 |
4.1.3 密度测试检测结果 | 第49-50页 |
4.1.4 样品电阻率检测结果 | 第50-51页 |
4.1.5 样品压敏特性检测结果 | 第51-54页 |
4.2 本章小结 | 第54-57页 |
第五章 V~(5+)、Y~(3+)共掺杂对TiO_2压敏陶瓷结构及性能的影响 | 第57-67页 |
5.1 V~(5+)、Y~(3+)共掺杂TiO_2压敏陶瓷性能的影响 | 第57-67页 |
5.1.1 V~(5+)、Y~(3+)共掺杂TiO_2压敏陶瓷的微观结构分析 | 第57-59页 |
5.1.2 样品收缩率检测 | 第59-60页 |
5.1.3 密度测试检测结果 | 第60-61页 |
5.1.4 样品电阻率检测结果 | 第61-62页 |
5.1.5 样品压敏特性检测结果 | 第62-67页 |
第六章 结论与展望 | 第67-69页 |
6.1 结论 | 第67-68页 |
6.2 展望 | 第68-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
附录A (攻读学位期间发表论文目录) | 第72页 |