| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料和器件概述 | 第10-28页 |
| 1.1 概述 | 第10-12页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的基本物理性质 | 第12-17页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第14-16页 |
| 1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物的三元和四元合金 | 第16-17页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的极化效应 | 第17-24页 |
| 1.3.1 自发极化 | 第17-20页 |
| 1.3.2 压电极化 | 第20-22页 |
| 1.3.3 极化效应对能带结构的影响 | 第22-24页 |
| 1.4 Ⅲ-Ⅴ族氮化物光电子器件 | 第24-27页 |
| 1.4.1 发光二极管 | 第24-26页 |
| 1.4.2 太阳能电池 | 第26页 |
| 1.4.3 探测器 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文研究内容和安排 | 第27-28页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料外延和分析表征 | 第28-41页 |
| 2.1 金属有机化合物气相外延 | 第28-34页 |
| 2.1.1 MOCVD概述 | 第28-29页 |
| 2.1.2 MOCVD设备结构简介 | 第29-31页 |
| 2.1.3 MOCVD工作原理 | 第31-33页 |
| 2.1.4 VeecoP125设备简介 | 第33-34页 |
| 2.2 材料分析表征-半导体光致发光测试 | 第34-38页 |
| 2.2.1 半导体光致发光概述 | 第34-35页 |
| 2.2.2 半导体中光吸收 | 第35-36页 |
| 2.2.3 半导体中载流子复合 | 第36-37页 |
| 2.2.4 半导体光致发光PL测试系统 | 第37-38页 |
| 2.3 其他材料分析表征方法 | 第38-39页 |
| 2.3.1 电致发光测试 | 第38-39页 |
| 2.3.2 高分辨X射线衍射仪 | 第39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 基于GaN/InGaN复合量子阱的白光LED研究 | 第41-59页 |
| 3.1 白光LED技术简介 | 第41-46页 |
| 3.1.1 白光LED技术背景 | 第41页 |
| 3.1.2 荧光粉转换型白光LED | 第41-43页 |
| 3.1.3 无荧光粉型白光LED | 第43-46页 |
| 3.2 复合量子阱结构实现双波长单芯片白光LED | 第46-54页 |
| 3.2.1 结构设计和外延生长 | 第46-48页 |
| 3.2.2 高分辨XRD对样品结构表征 | 第48-50页 |
| 3.2.3 样品电学性能的测试结果 | 第50-54页 |
| 3.3 复合量子阱结构的发光分析 | 第54-58页 |
| 3.3.1 常温和低温PL光谱 | 第54-55页 |
| 3.3.2 低温10K下不同激发功率下PL光谱 | 第55-56页 |
| 3.3.3 变温PL光谱 | 第56-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 GaN/InGaN量子阱中载流子输运研究 | 第59-76页 |
| 4.1 引言 | 第59-64页 |
| 4.1.1 半导体光吸收理论 | 第59-64页 |
| 4.1.2 基于GaN/InGaN量子阱结构的载流子输运 | 第64页 |
| 4.2 GaN/InGaN量子阱结构材料外延 | 第64-66页 |
| 4.3 反常现象的观测 | 第66页 |
| 4.4 系统光电测试和分析 | 第66-72页 |
| 4.4.1 pn型 | 第67-70页 |
| 4.4.2 NN型 | 第70-72页 |
| 4.5 物理机制和载流子输运模型 | 第72-74页 |
| 4.5.1 物理机制 | 第72页 |
| 4.5.2 载流子输运模型 | 第72-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 总结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-90页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |