| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 论文主要研究工作及章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 4H-SiC MEFSET 非线性模型研究 | 第13-29页 |
| 2.1 SiC 材料简介 | 第13-16页 |
| 2.1.1 SiC 材料的结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 SiC 器件的优势 | 第15-16页 |
| 2.2 4H-SiC MESFET | 第16-17页 |
| 2.2.1 MESFET 简介 | 第16页 |
| 2.2.2 4H-SiC MESFET 特性 | 第16-17页 |
| 2.3 4H-SiC MESFET 小信号与噪声模型 | 第17-21页 |
| 2.3.1 小信号等效电路 | 第17-18页 |
| 2.3.2 小信号寄生参数的提取 | 第18-20页 |
| 2.3.3 小信号本征参数的提取 | 第20页 |
| 2.3.4 4H-SiC MESFET 噪声模型 | 第20-21页 |
| 2.4 4H-SiC MESFET 器件仿真 | 第21-26页 |
| 2.4.1 ISE-TCAD 软件简介 | 第21-22页 |
| 2.4.2 4H-SiC MESFET 器件与材料模型 | 第22-24页 |
| 2.4.3 交流小信号分析方法 | 第24-26页 |
| 2.5 4H-SiC MESFET 仿真结果 | 第26-27页 |
| 2.5.1 漏源电流 | 第26-27页 |
| 2.5.2 电容特性 | 第27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET 的大信号模型与 PSpice 建模 | 第29-41页 |
| 3.1 4H-SiC MESFET 大信号模型 | 第29-32页 |
| 3.1.1 4H-SiC MESFET 大信号电流-电压模型 | 第29-31页 |
| 3.1.2 4H-SiC MESFET 大信号电容模型 | 第31-32页 |
| 3.2 模型参数值的提取 | 第32-37页 |
| 3.2.1 模型参数初值的提取 | 第33-35页 |
| 3.2.2 初值的优化 | 第35-37页 |
| 3.3 4H-SiC MESFET PSpice 模型的建立 | 第37-39页 |
| 3.3.1 PSpice 简介 | 第37页 |
| 3.3.2 4H-SiC MESFET 模型的建立 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 光接收机前端电路设计与仿真 | 第41-57页 |
| 4.1 紫外光电探测器 | 第42-45页 |
| 4.2 前置放大器 | 第45-51页 |
| 4.2.1 高阻型前置放大器 | 第47页 |
| 4.2.2 反馈型前置放大器 | 第47-49页 |
| 4.2.3 RGC 结构前置放大器 | 第49-51页 |
| 4.3 光接收机前端电路设计与仿真 | 第51-56页 |
| 4.3.1 开环结构的光接收机前端 | 第51-53页 |
| 4.3.2 改进的 RGC 结构输入的光接收机前端 | 第53-56页 |
| 4.3.3 结果分析 | 第56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参加科研情况说明 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
