| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳能电池简介 | 第12-16页 |
| 1.2.1 太阳能电池的分类 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CIGS太阳能电池的基本结构 | 第13页 |
| 1.2.3 太阳能电池工作原理 | 第13-14页 |
| 1.2.4 CIGS太阳能电池的国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 CuGaTe_2热电材料简介 | 第16-19页 |
| 1.3.1 热电材料的定义 | 第16页 |
| 1.3.2 热电材料的分类 | 第16-17页 |
| 1.3.3 提高热电材料性能的方法简介 | 第17-18页 |
| 1.3.4 CuGaTe_2材料的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 计算方法与理论基础 | 第21-29页 |
| 2.1 第一性原理计算(first-principlescalculation) | 第21页 |
| 2.2 密度泛函理论和交换关联函 | 第21-23页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第21-22页 |
| 2.2.2 交换关联函 | 第22-23页 |
| 2.3 薛定谔方程 | 第23-24页 |
| 2.4 电子结构 | 第24-27页 |
| 2.4.1 Bloch定理 | 第24-25页 |
| 2.4.2 能带理论介绍 | 第25-26页 |
| 2.4.3 电子态密度和Bader电荷 | 第26-27页 |
| 2.5 常用软件介绍 | 第27-29页 |
| 2.5.1 ViennaAb-initio Simulation Package(VASP) | 第27-28页 |
| 2.5.2 Materials Studio | 第28-29页 |
| 第3章 Cu_(0.75)In_(0.25)GaSe_2(112)表面的元素钝化研究 | 第29-41页 |
| 3.1 计算方法 | 第29页 |
| 3.2 CIGS体相的晶格结构及电子性能 | 第29-31页 |
| 3.3 两种终端的CIGS(112)表面结构模型 | 第31页 |
| 3.4 CIG为终端的CIGS(112)表面结构及局域态密度 | 第31-32页 |
| 3.5 Se为终端的CIGS(112)表面结构及电子性能 | 第32-33页 |
| 3.6 Cl、F、H元素在Se为终端的CIGS(112)表面的吸附模型 | 第33-35页 |
| 3.7 单个元素在Se为终端的CIGS(112)表面的吸附 | 第35-36页 |
| 3.8 0.5 MLCl、F和H元素钝化CIGS(112)表面态 | 第36-40页 |
| 3.8.1 元素在不同位置的吸附能 | 第36-37页 |
| 3.8.2 吸附稳定位置的键长分析 | 第37-38页 |
| 3.8.3 吸附稳定体系的Bader电荷研究 | 第38-39页 |
| 3.8.4 吸附稳定位置的总态密度分析 | 第39-40页 |
| 3.9 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 Cu_(0.714)GaTe_2热电材料的掺杂计算 | 第41-52页 |
| 4.1 计算方法 | 第41页 |
| 4.2 Cu_(0.714)GaTe_2体相结构及电子特性 | 第41-42页 |
| 4.3 单个Sb原子在Cu_(0.714)GaTe_2体相晶胞中的掺杂计算 | 第42-48页 |
| 4.3.1 掺杂后能量计算 | 第43-44页 |
| 4.3.2 掺杂后能带和态密度分析 | 第44-48页 |
| 4.4 两个Sb原子在Cu_(0.714)GaTe_2体相晶胞中的掺杂分析 | 第48-51页 |
| 4.4.1 掺杂后能量计算 | 第48-49页 |
| 4.4.2 掺杂后能带和态密度分析 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录 攻读硕士期间发表学术论文目录 | 第61页 |
