摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第13-28页 |
1.1 电子封装用陶瓷基板材料的发展概况 | 第13-16页 |
1.1.1 电子封装技术的发展对基板材料的要求 | 第13页 |
1.1.2 陶瓷基板材料比较 | 第13-14页 |
1.1.3 AlN陶瓷基板的基本特性及研究进展 | 第14-15页 |
1.1.4 AlN陶瓷基板应用现状及面临的主要问题 | 第15-16页 |
1.2 AlN陶瓷表面金属化国内外研究现状 | 第16-17页 |
1.2.1 陶瓷表面金属化基本要求 | 第16页 |
1.2.2 AlN陶瓷表面金属化方法 | 第16-17页 |
1.2.3 AlN陶瓷表面金属化需解决的关键问题 | 第17页 |
1.3 AlN陶瓷表面薄膜金属化技术 | 第17-21页 |
1.3.1 AlN陶瓷表面薄膜金属化方法 | 第17-19页 |
1.3.2 AlN陶瓷表面金属化薄膜体系 | 第19-21页 |
1.3.3 AlN陶瓷表面薄膜金属化发展 | 第21页 |
1.4 Cu和Ni-Cu合金特性及其薄膜制备 | 第21-24页 |
1.4.1 金属化单层薄膜材料的选择 | 第21-22页 |
1.4.2 Cu和Ni-Cu合金 | 第22-23页 |
1.4.3 Cu薄膜 | 第23页 |
1.4.4 Ni-Cu薄膜 | 第23-24页 |
1.5 薄膜的应力 | 第24-26页 |
1.5.1 薄膜应力的成因及测量方法 | 第24-26页 |
1.5.2 薄膜应力研究现状 | 第26页 |
1.6 本课题研究背景和意义 | 第26-28页 |
第2章 实验方法 | 第28-32页 |
2.1 实验装置 | 第28-29页 |
2.2 样品制备 | 第29-30页 |
2.2.1 预处理过程 | 第29页 |
2.2.2 金属化薄膜制备方法及工艺条件 | 第29-30页 |
2.3 金属化薄膜组织结构表征 | 第30页 |
2.3.1 X射线衍射分析 | 第30页 |
2.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第30页 |
2.3.3 光学显微镜观察 | 第30页 |
2.3.4 台阶仪 | 第30页 |
2.4 薄膜的性能测试 | 第30-32页 |
2.4.1 薄膜应力测试方法 | 第30页 |
2.4.2 薄膜电阻率测试方法 | 第30-31页 |
2.4.3 薄膜粘结强度测试方法 | 第31-32页 |
第3章 AlN陶瓷表面金属化Cu薄膜研究 | 第32-43页 |
3.1 前言 | 第32页 |
3.2 Cu薄膜制备工艺研究 | 第32-36页 |
3.2.1 沉积工艺对膜厚及膜厚均匀性的影响 | 第32-33页 |
3.2.2 工艺对生长速率的影响 | 第33-34页 |
3.2.3 沉积工艺对组织结构的影响 | 第34-36页 |
3.3 Cu薄膜应力研究 | 第36-39页 |
3.3.1 沉积温度对薄膜应力影响 | 第36-38页 |
3.3.2 过渡层对Cu薄膜应力影响 | 第38-39页 |
3.4 Cu薄膜粘结性能分析 | 第39-40页 |
3.5 Cu薄膜电性能分析 | 第40-41页 |
3.6 小结 | 第41-43页 |
第4章 AlN陶瓷表面金属化Ni-Cu薄膜研究 | 第43-52页 |
4.1 前言 | 第43页 |
4.2 Ni-Cu薄膜成分控制 | 第43-46页 |
4.3 Ni-Cu薄膜结构分析 | 第46-47页 |
4.4 Ni-Cu薄膜表面形貌观察 | 第47-49页 |
4.4.1 沉积工艺对薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
4.4.2 合金成分对薄膜表面形貌的影响 | 第48页 |
4.4.3 沉积温度对薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
4.5 Ni-Cu薄膜应力分析 | 第49-50页 |
4.6 Ni-Cu薄膜电性能分析 | 第50页 |
4.7 小结 | 第50-52页 |
第5章 AlN陶瓷表面单层金属化薄膜热应力与变形有限元模拟分析 | 第52-65页 |
5.1 引言 | 第52页 |
5.2 模型建立 | 第52-54页 |
5.3 沉积温度的影响 | 第54-58页 |
5.4 薄膜厚度的影响 | 第58-61页 |
5.5 工作温度的影响 | 第61-64页 |
5.6 小结 | 第64-65页 |
结论 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
附录A 攻读硕士期间所发表的学术论文目录 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |