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AlN陶瓷表面单层Cu基金属化薄膜研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第13-28页
    1.1 电子封装用陶瓷基板材料的发展概况第13-16页
        1.1.1 电子封装技术的发展对基板材料的要求第13页
        1.1.2 陶瓷基板材料比较第13-14页
        1.1.3 AlN陶瓷基板的基本特性及研究进展第14-15页
        1.1.4 AlN陶瓷基板应用现状及面临的主要问题第15-16页
    1.2 AlN陶瓷表面金属化国内外研究现状第16-17页
        1.2.1 陶瓷表面金属化基本要求第16页
        1.2.2 AlN陶瓷表面金属化方法第16-17页
        1.2.3 AlN陶瓷表面金属化需解决的关键问题第17页
    1.3 AlN陶瓷表面薄膜金属化技术第17-21页
        1.3.1 AlN陶瓷表面薄膜金属化方法第17-19页
        1.3.2 AlN陶瓷表面金属化薄膜体系第19-21页
        1.3.3 AlN陶瓷表面薄膜金属化发展第21页
    1.4 Cu和Ni-Cu合金特性及其薄膜制备第21-24页
        1.4.1 金属化单层薄膜材料的选择第21-22页
        1.4.2 Cu和Ni-Cu合金第22-23页
        1.4.3 Cu薄膜第23页
        1.4.4 Ni-Cu薄膜第23-24页
    1.5 薄膜的应力第24-26页
        1.5.1 薄膜应力的成因及测量方法第24-26页
        1.5.2 薄膜应力研究现状第26页
    1.6 本课题研究背景和意义第26-28页
第2章 实验方法第28-32页
    2.1 实验装置第28-29页
    2.2 样品制备第29-30页
        2.2.1 预处理过程第29页
        2.2.2 金属化薄膜制备方法及工艺条件第29-30页
    2.3 金属化薄膜组织结构表征第30页
        2.3.1 X射线衍射分析第30页
        2.3.2 扫描电子显微镜分析第30页
        2.3.3 光学显微镜观察第30页
        2.3.4 台阶仪第30页
    2.4 薄膜的性能测试第30-32页
        2.4.1 薄膜应力测试方法第30页
        2.4.2 薄膜电阻率测试方法第30-31页
        2.4.3 薄膜粘结强度测试方法第31-32页
第3章 AlN陶瓷表面金属化Cu薄膜研究第32-43页
    3.1 前言第32页
    3.2 Cu薄膜制备工艺研究第32-36页
        3.2.1 沉积工艺对膜厚及膜厚均匀性的影响第32-33页
        3.2.2 工艺对生长速率的影响第33-34页
        3.2.3 沉积工艺对组织结构的影响第34-36页
    3.3 Cu薄膜应力研究第36-39页
        3.3.1 沉积温度对薄膜应力影响第36-38页
        3.3.2 过渡层对Cu薄膜应力影响第38-39页
    3.4 Cu薄膜粘结性能分析第39-40页
    3.5 Cu薄膜电性能分析第40-41页
    3.6 小结第41-43页
第4章 AlN陶瓷表面金属化Ni-Cu薄膜研究第43-52页
    4.1 前言第43页
    4.2 Ni-Cu薄膜成分控制第43-46页
    4.3 Ni-Cu薄膜结构分析第46-47页
    4.4 Ni-Cu薄膜表面形貌观察第47-49页
        4.4.1 沉积工艺对薄膜表面形貌的影响第47-48页
        4.4.2 合金成分对薄膜表面形貌的影响第48页
        4.4.3 沉积温度对薄膜表面形貌的影响第48-49页
    4.5 Ni-Cu薄膜应力分析第49-50页
    4.6 Ni-Cu薄膜电性能分析第50页
    4.7 小结第50-52页
第5章 AlN陶瓷表面单层金属化薄膜热应力与变形有限元模拟分析第52-65页
    5.1 引言第52页
    5.2 模型建立第52-54页
    5.3 沉积温度的影响第54-58页
    5.4 薄膜厚度的影响第58-61页
    5.5 工作温度的影响第61-64页
    5.6 小结第64-65页
结论第65-66页
参考文献第66-70页
附录A 攻读硕士期间所发表的学术论文目录第70-71页
致谢第71页

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