| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 肖特基势垒FET的历史与发展 | 第9-11页 |
| 1.3 杂质分凝肖特基FET概述 | 第11-13页 |
| 1.3.1 肖特基势垒调制技术 | 第13页 |
| 1.4 论文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 Apsys器件仿真软件介绍 | 第15-22页 |
| 2.1 Apsys介绍 | 第15页 |
| 2.2 Apsys的使用 | 第15-19页 |
| 2.2.1 Apsys的输入/输出文件 | 第15-16页 |
| 2.2.2 使用Apsys进行器件仿真 | 第16-19页 |
| 2.3 肖特基接触仿真示例 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 杂质分凝肖特基二极管的仿真 | 第22-33页 |
| 3.1 肖特基势垒高度与电流输运 | 第22-25页 |
| 3.1.1 肖特基势垒高度 | 第22-24页 |
| 3.1.2 肖特基接触的电流输运方式 | 第24-25页 |
| 3.2 Shannon接触理论 | 第25-27页 |
| 3.2.1 金属/n+-n结构 | 第25-26页 |
| 3.2.2 金属/p+-n结构 | 第26-27页 |
| 3.3 Shannon接触制造工艺和有效势垒高度提取方法介绍 | 第27-28页 |
| 3.3.1 Shannon接触制造工艺 | 第28页 |
| 3.3.2 肖特基势垒高度提取方法介绍 | 第28页 |
| 3.4 Shannon接触仿真研究 | 第28-32页 |
| 3.4.1 金属/p+-n的势垒调制特性 | 第29-31页 |
| 3.4.2 金属/n+-n结构仿真研究 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 SBFET、DS-SBFET与传统MOSFET的仿真对比 | 第33-52页 |
| 4.1 SBFET工作原理分析 | 第33-34页 |
| 4.2 45nm工艺DS-SBFET与传统MOSFET的仿真对比 | 第34-40页 |
| 4.2.1 器件仿真结果 | 第34-37页 |
| 4.2.2 45nm工艺DS-SBFET工作原理分析 | 第37-40页 |
| 4.3 65nm工艺DS-SBFET与无源漏扩展区传统MOSFET对比 | 第40-48页 |
| 4.3.1 器件仿真结果 | 第40-43页 |
| 4.3.2 65nm工艺器件仿真结果分析 | 第43-48页 |
| 4.4 DS-SBFET的短沟道效应和非对称源漏DS-SBFET | 第48-49页 |
| 4.5 DS-SBFET器件综合分析 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
