| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 Rabi模型 | 第12-16页 |
| 1.3 量子比特的发射谱 | 第16-18页 |
| 1.4 Berry相位 | 第18-21页 |
| 1.5 强耦合作用区间的热库理论 | 第21-23页 |
| 1.6 本文的工作 | 第23-25页 |
| 第二章 Rabi模型中非旋波项对量子比特迹距离的影响 | 第25-39页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 Rabi模型本征态和本征能的近似解析表达式 | 第25-31页 |
| 2.3 量子比特的迹距离随时间演化的动力学 | 第31-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 强耦合作用区间量子比特的物理发射谱 | 第39-55页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 Rabi模型中量子比特的物理发射谱 | 第40-49页 |
| 3.2.1 情况1 初始玻色场为弱相干场n《1 | 第41-48页 |
| 3.2.2 情况2 初始玻色场为强相干场n≥1 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-52页 |
| 3.4 附录 投影系数 | 第52-55页 |
| 第四章 非旋波近似下Rabi模型的Berry相位 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 Rabi模型的本征态与本征能 | 第55-59页 |
| 4.3 Rabi模型的Berry相位 | 第59-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 4.5 附录 | 第65-69页 |
| 4.5.1 附录A 系数 | 第65-66页 |
| 4.5.2 附录B 高精度的Berry相位 | 第66-69页 |
| 第五章 热库对强耦合作用腔模输出谱的影响 | 第69-75页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 系统的哈密顿量和主方程 | 第69-71页 |
| 5.3 Rabi模型中腔模的输出发射谱 | 第71-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 在校期间发表的论文 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |