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高电位梯度ZnO压敏陶瓷材料的制备

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-25页
    1.1 前言第12-13页
    1.2 ZnO 压敏电阻器的国内外研究情况第13-15页
    1.3 ZnO 压敏电阻器的微观结构第15-17页
        1.3.1 ZnO 晶粒第15-16页
        1.3.2 晶界层第16页
        1.3.3 尖晶石相第16-17页
    1.4 ZnO 压敏电阻器的导电机理第17-20页
        1.4.1 ZnO 压敏电阻的 U-I 特性第17-18页
        1.4.2 ZnO 压敏电阻的导电机理第18-20页
            1.4.2.1 预击穿区的导电机理第18-19页
            1.4.2.2 击穿区的导电机理第19-20页
            1.4.2.3 回升区的导电机理第20页
    1.5 ZnO 压敏电阻器的电性能参数第20-23页
        1.5.1 压敏电压 U1mA(Breakdown Voltage)第20-21页
        1.5.2 非线性系数(Nonlinear Coefficient)第21页
        1.5.3 漏电流 IL(Leakage Current)第21-22页
        1.5.4 相对介电常数εr(Relative Dielectric Constant)第22页
        1.5.5 最大通流容量 Imax和能量耐量第22-23页
        1.5.6 残压比 K第23页
    1.6 添加剂的作用第23-24页
    1.7 本文的主要研究内容第24-25页
第二章 样品制备过程和测试方法第25-31页
    2.1 实验原料及仪器设备第25-26页
        2.1.1 实验原料第25页
        2.1.2 实验的仪器设备第25-26页
    2.2 样品的制备工艺第26-28页
    2.3 样品的测试与表征第28-31页
        2.3.1 电性能测试第28页
        2.3.2 8/20μs 模拟雷电冲击实验第28-29页
        2.3.3 密度测试第29-30页
        2.3.4 X 射线衍射分析(XRD)第30页
        2.3.5 显微结构分析(SEM)第30-31页
第三章 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响第31-47页
    3.1 前言第31页
    3.2 样品制备及测试第31-32页
    3.3 实验结果与分析第32-45页
        3.3.1 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻物相及微观结构的影响第32-35页
        3.3.2 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响第35-42页
            3.3.2.1 小电流特性第35-40页
            3.3.2.2 大电流特性第40-42页
        3.3.3 烧结温度对 ZnO 压敏电阻电性能的影响第42-45页
    3.4 本章总结第45-47页
第四章 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响第47-55页
    4.1 前言第47页
    4.2 样品制备及测试第47-48页
    4.3 实验结果与分析第48-54页
        4.3.1 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻微观结构的影响第48-50页
        4.3.2 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响第50-54页
            4.3.2.1 小电流特性第50-53页
            4.3.2.2 大电流特性第53-54页
    4.4 本章总结第54-55页
第五章 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响第55-62页
    5.1 前言第55页
    5.2 样品制备及测试第55-56页
    5.3 实验结果与分析第56-61页
        5.3.1 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻晶相成分及微观结构的影响第56-58页
        5.3.2 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响第58-61页
            5.3.2.1 小电流特性第58-60页
            5.3.2.2 大电流特性第60-61页
    5.4 本章总结第61-62页
全文总结第62-64页
参考文献第64-71页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第71-72页
致谢第72-73页
附件第73页

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