摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 前言 | 第12-13页 |
1.2 ZnO 压敏电阻器的国内外研究情况 | 第13-15页 |
1.3 ZnO 压敏电阻器的微观结构 | 第15-17页 |
1.3.1 ZnO 晶粒 | 第15-16页 |
1.3.2 晶界层 | 第16页 |
1.3.3 尖晶石相 | 第16-17页 |
1.4 ZnO 压敏电阻器的导电机理 | 第17-20页 |
1.4.1 ZnO 压敏电阻的 U-I 特性 | 第17-18页 |
1.4.2 ZnO 压敏电阻的导电机理 | 第18-20页 |
1.4.2.1 预击穿区的导电机理 | 第18-19页 |
1.4.2.2 击穿区的导电机理 | 第19-20页 |
1.4.2.3 回升区的导电机理 | 第20页 |
1.5 ZnO 压敏电阻器的电性能参数 | 第20-23页 |
1.5.1 压敏电压 U1mA(Breakdown Voltage) | 第20-21页 |
1.5.2 非线性系数(Nonlinear Coefficient) | 第21页 |
1.5.3 漏电流 IL(Leakage Current) | 第21-22页 |
1.5.4 相对介电常数εr(Relative Dielectric Constant) | 第22页 |
1.5.5 最大通流容量 Imax和能量耐量 | 第22-23页 |
1.5.6 残压比 K | 第23页 |
1.6 添加剂的作用 | 第23-24页 |
1.7 本文的主要研究内容 | 第24-25页 |
第二章 样品制备过程和测试方法 | 第25-31页 |
2.1 实验原料及仪器设备 | 第25-26页 |
2.1.1 实验原料 | 第25页 |
2.1.2 实验的仪器设备 | 第25-26页 |
2.2 样品的制备工艺 | 第26-28页 |
2.3 样品的测试与表征 | 第28-31页 |
2.3.1 电性能测试 | 第28页 |
2.3.2 8/20μs 模拟雷电冲击实验 | 第28-29页 |
2.3.3 密度测试 | 第29-30页 |
2.3.4 X 射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
2.3.5 显微结构分析(SEM) | 第30-31页 |
第三章 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响 | 第31-47页 |
3.1 前言 | 第31页 |
3.2 样品制备及测试 | 第31-32页 |
3.3 实验结果与分析 | 第32-45页 |
3.3.1 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻物相及微观结构的影响 | 第32-35页 |
3.3.2 Sb_2O_3掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响 | 第35-42页 |
3.3.2.1 小电流特性 | 第35-40页 |
3.3.2.2 大电流特性 | 第40-42页 |
3.3.3 烧结温度对 ZnO 压敏电阻电性能的影响 | 第42-45页 |
3.4 本章总结 | 第45-47页 |
第四章 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响 | 第47-55页 |
4.1 前言 | 第47页 |
4.2 样品制备及测试 | 第47-48页 |
4.3 实验结果与分析 | 第48-54页 |
4.3.1 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻微观结构的影响 | 第48-50页 |
4.3.2 SiO_2掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响 | 第50-54页 |
4.3.2.1 小电流特性 | 第50-53页 |
4.3.2.2 大电流特性 | 第53-54页 |
4.4 本章总结 | 第54-55页 |
第五章 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻性能的影响 | 第55-62页 |
5.1 前言 | 第55页 |
5.2 样品制备及测试 | 第55-56页 |
5.3 实验结果与分析 | 第56-61页 |
5.3.1 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻晶相成分及微观结构的影响 | 第56-58页 |
5.3.2 MgO 掺杂对 ZnO 压敏电阻电性能的影响 | 第58-61页 |
5.3.2.1 小电流特性 | 第58-60页 |
5.3.2.2 大电流特性 | 第60-61页 |
5.4 本章总结 | 第61-62页 |
全文总结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-71页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
附件 | 第73页 |