摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-13页 |
1.1 研究背景及意义 | 第9页 |
1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
1.2.1 国外研究现状 | 第9-11页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第11-12页 |
1.3 本文的研究内容 | 第12-13页 |
2 基本原理及测试技术 | 第13-20页 |
2.1 磁控溅射技术 | 第13-15页 |
2.1.1 磁控溅射原理 | 第13页 |
2.1.2 磁控溅射设备 | 第13-14页 |
2.1.3 薄膜制备流程 | 第14-15页 |
2.2 白光干涉仪 | 第15页 |
2.3 四探针测试仪 | 第15-16页 |
2.4 原子力显微镜 | 第16-17页 |
2.5 扫描电子显微镜 | 第17-18页 |
2.6 X射线衍射仪 | 第18-19页 |
2.7 小结 | 第19-20页 |
3 单层薄膜制备工艺研究 | 第20-53页 |
3.1 实验方法 | 第20-21页 |
3.2 Ti薄膜的物理表征 | 第21-33页 |
3.2.1 Ti薄膜沉积速率的表征及分析 | 第21-24页 |
3.2.2 Ti薄膜电阻率的表征及分析 | 第24-27页 |
3.2.3 Ti薄膜表面形貌表征 | 第27-31页 |
3.2.4 Ti薄膜微观结构表征及X射线衍射分析 | 第31-33页 |
3.2.5 Ti薄膜与聚酰亚胺基底附着力测试 | 第33页 |
3.3 硼薄膜的物理表征 | 第33-39页 |
3.3.1 硼薄膜沉积速率的表征及分析 | 第33-36页 |
3.3.2 硼薄膜表面形貌表征 | 第36-37页 |
3.3.3 硼薄膜微观结构表征及X射线衍射分析 | 第37-39页 |
3.4 PbO薄膜的物理表征 | 第39-52页 |
3.4.1 PbO薄膜沉积速率的表征及分析 | 第39-41页 |
3.4.2 PbO薄膜电阻率的表征及分析 | 第41-44页 |
3.4.3 PbO薄膜表面形貌表征 | 第44-48页 |
3.4.4 PbO薄膜微观结构表征及X射线衍射分析 | 第48-52页 |
3.5 小结 | 第52-53页 |
4 复合含能桥膜的制备及物理表征 | 第53-58页 |
4.1 复合含能桥膜的制备 | 第53-54页 |
4.2 复合含能桥膜的物理表征 | 第54-57页 |
4.2.1 复合含能桥膜表面形貌表征 | 第54-57页 |
4.2.2 复合含能桥膜微观结构表征 | 第57页 |
4.3 小结 | 第57-58页 |
5 复合含能桥膜的电爆测试 | 第58-64页 |
5.1 电爆测试系统 | 第58页 |
5.2 电爆测试现象及分析 | 第58-63页 |
5.3 小结 | 第63-64页 |
6 结论 | 第64-67页 |
6.1 结论 | 第64页 |
6.2 展望 | 第64-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-73页 |