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机械应力下多晶硅薄膜晶体管和负栅压偏置下非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的可靠性研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-21页
    1.1 薄膜晶体管简介第8-10页
    1.2 透明非晶氧化物半导体简介第10-13页
    1.3 多晶硅薄膜晶体管简介第13-14页
    1.4 本论文研究方法和实验仪器第14-17页
    1.5 本文的主要工作及论文结构安排第17-19页
    参考文献第19-21页
第二章 机械应力对LTPS TFT性能的影响第21-42页
    2.1 柔性显示发展状况第21-24页
    2.2 动态弯曲对柔性LTPS TFT电学性能的影响第24-27页
    2.3 动态弯曲对柔性LTPS TFT破坏的分析第27-30页
    2.4 弯曲情况下器件应力分布仿真第30-33页
    2.5 动态拉伸对柔性LTPS TFT电学性能的影响第33-37页
    2.6 动态拉伸对柔性LTPS TFT破坏的分析第37-39页
    2.7 拉伸情况下器件应力分布仿真第39-40页
    2.8 本章小结第40-41页
    参考文献第41-42页
第三章 a-IGZO TFT在负栅偏压应力下的退化第42-52页
    3.1 a-IGZO TFT在NBTS下的研究现状第42-43页
    3.2 拉伸指数模型第43-44页
    3.3 a-IGZO TFT在NBTS下的参数拟合第44-49页
    3.4 本章小结第49-50页
    参考文献第50-52页
第四章 结论及未来工作第52-54页
    4.1 本文结论第52页
    4.2 未来工作第52-54页
攻读硕士学位期间发表的论文第54-55页
致谢第55-56页

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