| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·半导体光催化剂的基本原理 | 第12-14页 |
| ·提高纳米半导体光催化的途径 | 第14-16页 |
| ·掺杂 | 第15页 |
| ·复合 | 第15-16页 |
| ·敏化 | 第16页 |
| ·钽酸盐类光催化剂研究现状 | 第16-17页 |
| ·NaTaO_3光催化剂的制备方法 | 第17-19页 |
| ·固相反应法 | 第17-18页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第18页 |
| ·水热法 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义、内容和结构 | 第19-21页 |
| ·本课题的意义 | 第19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| ·本论文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 密度泛函理论简介 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·密度泛函理论 | 第22-26页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·局域密度近似LDA | 第24-25页 |
| ·广义梯度近似GGA | 第25-26页 |
| ·能带计算方法介绍 | 第26-28页 |
| ·Bloch定理 | 第26页 |
| ·平面波基组 | 第26-27页 |
| ·赝势 | 第27-28页 |
| ·模守恒膺势 | 第27-28页 |
| ·超软赝势 | 第28页 |
| ·Castep软件介绍 | 第28-29页 |
| 第三章 实验药品及表征方法 | 第29-34页 |
| ·实验药品 | 第29页 |
| ·仪器 | 第29-30页 |
| ·催化剂的表征 | 第30-34页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS) | 第30-31页 |
| ·傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第31-32页 |
| ·光催化性能测试 | 第32-34页 |
| 第四章 钒掺杂NaTaO_3的制备、表征及能带结构调控机制研究 | 第34-47页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD) | 第35-37页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第37-38页 |
| ·紫外—可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS) | 第38-39页 |
| ·傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第39-40页 |
| ·光催化活性测试 | 第40-41页 |
| ·机理研究 | 第41-46页 |
| ·NaTaO_3的结构 | 第41-42页 |
| ·计算参数 | 第42-43页 |
| ·计算结果与讨论 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 钨掺杂NaTaO_3的制备、表征及能带结构调控机制研究 | 第47-55页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·样品制备 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD) | 第47-49页 |
| ·紫外—可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS) | 第49页 |
| ·傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第49-50页 |
| ·光催化活性测试 | 第50-51页 |
| ·机理研究 | 第51-54页 |
| ·计算模型和参数 | 第51页 |
| ·计算结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 计算机分子设计平台的建立 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·分子设计平台的建立思想 | 第56-58页 |
| ·分子材料设计的基本计算方法 | 第56-57页 |
| ·分子设计平台的实现 | 第57-58页 |
| ·计算服务器的软硬件环境 | 第58页 |
| ·应用软件的移植与使用 | 第58-68页 |
| ·NWChem程序的移植与使用 | 第59-64页 |
| ·NWChem简介 | 第59页 |
| ·NWChem的移植 | 第59-61页 |
| ·NWChem的体系结构 | 第61-62页 |
| ·NWChem的使用 | 第62-64页 |
| ·ECCE | 第64页 |
| ·CPMD的安装与使用 | 第64-68页 |
| ·CPMD简介 | 第64-65页 |
| ·CPMD的移植 | 第65-66页 |
| ·CPMD的使用 | 第66-68页 |
| 第七章 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78页 |