摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-17页 |
1.1 研究背景 | 第8-14页 |
1.1.1 闪存 | 第8-9页 |
1.1.2闪存类型及工作原理 | 第9-14页 |
1.1.2.1 NAND Flash发展趋势 | 第10-11页 |
1.1.2.2 NAND Flash的结构及其工作原理 | 第11-14页 |
1.2研究意义及目的 | 第14页 |
1.3 研究现状 | 第14-15页 |
1.4 论文研究内容与组织结构 | 第15-17页 |
1.4.1 论文的研究内容 | 第15页 |
1.4.2 论文的组织结构 | 第15-17页 |
第二章 闪存转换层相关技术介绍及分析 | 第17-33页 |
2.1 闪存转换层概述 | 第17-18页 |
2.2 闪存转换层关键技术 | 第18-32页 |
2.2.1 地址转换 | 第19-28页 |
2.2.1.1 块级映射 | 第19-20页 |
2.2.1.2 页级映射 | 第20-21页 |
2.2.1.3 混合映射 | 第21-25页 |
2.2.1.4 二级页映射 | 第25-28页 |
2.2.2 垃圾回收 | 第28-29页 |
2.2.3 损耗均衡 | 第29-31页 |
2.2.4 坏块管理 | 第31-32页 |
2.2.5 掉电保护 | 第32页 |
2.3 本章小结 | 第32-33页 |
第三章 基于虚拟分区思想的闪存转换层设计 | 第33-49页 |
3.1 算法的设计思想 | 第33-35页 |
3.2 系统整体结构 | 第35-38页 |
3.3 映射流程分析 | 第38-40页 |
3.4 读写操作 | 第40-45页 |
3.5 垃圾回收与损耗均衡 | 第45-46页 |
3.6 掉电保护 | 第46-48页 |
3.7 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 实验仿真与性能分析 | 第49-56页 |
4.1 FlashSim仿真模拟器 | 第49页 |
4.2 实验仿真环境搭建 | 第49-50页 |
4.3 仿真实验输入文件 | 第50-51页 |
4.4 性能指标 | 第51页 |
4.5 性能分析 | 第51-55页 |
4.5.1 系统命中率 | 第51-53页 |
4.5.2 系统平均响应时间 | 第53-54页 |
4.5.3 系统响应时间标准差 | 第54-55页 |
4.6 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-62页 |
致谢 | 第62页 |