有机电子器件中电极界面的能级匹配及相关研究
摘要 | 第5-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第17-41页 |
1.1 引言 | 第17-18页 |
1.2 有机半导体 | 第18-30页 |
1.2.1 共轭结构 | 第18页 |
1.2.2 分子能级 | 第18-19页 |
1.2.3 极化子 | 第19-21页 |
1.2.4 界面能级匹配 | 第21-30页 |
1.3 有机发光二极管 | 第30-35页 |
1.3.1 器件工作机制 | 第30页 |
1.3.2 器件能级 | 第30-32页 |
1.3.3 界面调控 | 第32-35页 |
1.4 有机太阳电池 | 第35-38页 |
1.4.1 器件工作机制 | 第35-36页 |
1.4.2 器件能级 | 第36页 |
1.4.3 界面调控 | 第36-38页 |
1.5 本论文主要研究内容及创新点 | 第38-41页 |
1.5.1 论文主要研究内容 | 第38-40页 |
1.5.2 本论文主要创新点 | 第40-41页 |
第二章 界面表征和样品制备方法 | 第41-51页 |
2.1 引言 | 第41页 |
2.2 主要仪器 | 第41-42页 |
2.3 开尔文探针法 | 第42-47页 |
2.3.1 基本原理 | 第42-43页 |
2.3.2 扫描开尔文探针仪 | 第43-47页 |
2.4 原子力显微镜 | 第47-49页 |
2.5 X射线光电子能谱 | 第49-51页 |
第三章 有机半导体界面的能级匹配研究 | 第51-64页 |
3.1 引言 | 第51-53页 |
3.2 实验方法 | 第53-55页 |
3.2.1 实验材料和制备方法 | 第53-55页 |
3.2.2 表面功函数测量 | 第55页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第55-62页 |
3.3.1 衬底表面功函数的调节 | 第55-57页 |
3.3.2“衬底/有机”界面的能级变化 | 第57-61页 |
3.3.3 特征能级总结 | 第61-62页 |
3.4 本章小结 | 第62-64页 |
第四章 正装器件中的阴极界面能级 | 第64-86页 |
4.1 引言 | 第64-71页 |
4.1.1 阴极界面层材料的工作机制 | 第64-67页 |
4.1.2 阴极界面层的偶极取向 | 第67-71页 |
4.2 实验方法 | 第71-75页 |
4.2.1 实验材料 | 第71-72页 |
4.2.2 样品制备与测量 | 第72-75页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第75-84页 |
4.3.1 MEH-PPV器件界面 | 第75-79页 |
4.3.2 PCDTBT:PC71BM器件界面 | 第79-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-86页 |
第五章 有机/后蒸镀金属界面偶极 | 第86-108页 |
5.1 引言 | 第86-88页 |
5.2 实验方法 | 第88-90页 |
5.2.1 实验材料 | 第88-89页 |
5.2.2 样品制备 | 第89-90页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第90-107页 |
5.3.1 薄Al区形貌 | 第90-96页 |
5.3.2 薄Al区的XPS能谱分析 | 第96-99页 |
5.3.3 后蒸镀金属界面偶极 | 第99-103页 |
5.3.4 表面功函数扫描重复性 | 第103-105页 |
5.3.5 金属蒸镀顺序与界面偶极 | 第105-107页 |
5.4 本章小结 | 第107-108页 |
第六章 超疏水界面成像 | 第108-126页 |
6.1 引言 | 第108-113页 |
6.1.1 超疏水 | 第108-110页 |
6.1.2 同步辐射X射线 | 第110-111页 |
6.1.3 相衬成像断层扫描技术 | 第111-113页 |
6.2 实验方法 | 第113-116页 |
6.2.1 超疏水样品 | 第113-114页 |
6.2.2 表征仪器 | 第114页 |
6.2.3 SR-XPCI成像 | 第114-116页 |
6.3 结果与讨论 | 第116-125页 |
6.3.1 荷叶的表面分析 | 第116-121页 |
6.3.2 MWNTs/Nafion的表面分析 | 第121-125页 |
6.4 本章小结 | 第125-126页 |
结论 | 第126-129页 |
参考文献 | 第129-147页 |
攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第147-151页 |
致谢 | 第151-152页 |
附件 | 第152页 |