| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 OLED的发展趋势和研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 OLED器件基本理论和封装方法 | 第16-31页 |
| 2.1 OLED器件结构 | 第16-18页 |
| 2.2 OLED器件的发光原理 | 第18-19页 |
| 2.3 OLED器件功能层材料的选择 | 第19-20页 |
| 2.4 OLED器件的特性参数 | 第20-22页 |
| 2.4.1 OLED器件发光光谱和颜色 | 第21页 |
| 2.4.2 OLED器件发光效率 | 第21页 |
| 2.4.3 OLED器件发光强度 | 第21-22页 |
| 2.4.4 OLED器件的寿命 | 第22页 |
| 2.5 OLED器件的失效机理 | 第22-23页 |
| 2.6 OLED器件封装技术介绍 | 第23-30页 |
| 2.6.1 环氧树脂盖板封装技术 | 第24-25页 |
| 2.6.2 单层薄膜封装技术 | 第25页 |
| 2.6.3 多层薄膜封装技术 | 第25-28页 |
| 2.6.4 原子层沉积薄膜封装技术 | 第28页 |
| 2.6.5 铟封装技术 | 第28-30页 |
| 2.7 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 铟封接技术 | 第31-37页 |
| 3.1 铟及其合金的特性 | 第31-32页 |
| 3.2 铟封装工艺 | 第32-35页 |
| 3.2.1 冷压铟封装工艺 | 第32-33页 |
| 3.2.2 热熔铟封装工艺 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 激光加热铟封接OLED器件 | 第37-58页 |
| 4.1 OLED器件铟封装结构的设计 | 第37-38页 |
| 4.2 激光加热铟封接OLED器件基板和盖板的制备 | 第38-48页 |
| 4.2.1 盖板和基板的切割和清洗 | 第38-39页 |
| 4.2.2 玻璃基板ITO电极的刻蚀 | 第39-41页 |
| 4.2.3 封接绝缘层的研究与制备 | 第41-44页 |
| 4.2.4 金属过渡层的研究与制备 | 第44-45页 |
| 4.2.5 铟锡合金层的研究与制备 | 第45-48页 |
| 4.3 激光加热装置的设计制作 | 第48-51页 |
| 4.3.1 激光的引导 | 第48-49页 |
| 4.3.2 激光的控制 | 第49-51页 |
| 4.3.2.1 组装和接线 | 第50-51页 |
| 4.3.2.2 三维数控平台控制软件 | 第51页 |
| 4.4 激光铟封接相关参数的设计 | 第51-54页 |
| 4.4.1 光纤端帽与封接层距离的研究 | 第51-53页 |
| 4.4.2 激光光束水平移速与封接层加热温度的研究 | 第53-54页 |
| 4.5 激光局部加热封接基板和盖板 | 第54-55页 |
| 4.6 封装器件气密性测试 | 第55-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 5.1 论文主要研究的内容 | 第58页 |
| 5.2 主要创新点 | 第58-59页 |
| 5.3 下一步工作的展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |