| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 聚合物光伏电池简介 | 第13-23页 |
| 1.2.1 聚合物光伏电池的发展历程与现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 聚合物光伏电池的工作原理 | 第15-18页 |
| 1.2.3 聚合物光伏电池的器件结构 | 第18-21页 |
| 1.2.4 聚合物光伏电池的性能参数 | 第21-23页 |
| 1.3 有机场效应晶体管(OFET)简介 | 第23-29页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管的发展历程与现状 | 第24-27页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第27页 |
| 1.3.3 有机场效应晶体管的器件结构 | 第27-28页 |
| 1.3.4 有机场效应晶体管的性能参数 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文的研究内容与创新之处 | 第29-32页 |
| 1.4.1 本论文的研究内容 | 第29-30页 |
| 1.4.2 本论文的创新之处 | 第30-32页 |
| 第二章 有机半导体材料的侧链工程 | 第32-51页 |
| 2.1 有机半导体材料的侧链种类 | 第32-42页 |
| 2.1.1 烷基侧链 | 第32-34页 |
| 2.1.2 杂化链 | 第34-37页 |
| 2.1.3 离子型侧链 | 第37-38页 |
| 2.1.4 低聚醚类侧链 | 第38-40页 |
| 2.1.5 氟代烷基侧链 | 第40-41页 |
| 2.1.6 反应可脱除侧链 | 第41-42页 |
| 2.2 侧链工程调控有机半导体的性能 | 第42-51页 |
| 2.2.1 烷基链长短 | 第43-44页 |
| 2.2.2 烷基链长短奇偶性 | 第44-45页 |
| 2.2.3 烷基链位置 | 第45-47页 |
| 2.2.4 烷基链末端功能化 | 第47-48页 |
| 2.2.5 烷基链分叉点位置 | 第48-51页 |
| 第三章 基于氟代苯并噻二唑和联四噻吩的高迁移率窄带隙共轭聚合物的侧链调控和优化 | 第51-83页 |
| 3.1 引言 | 第51-54页 |
| 3.2 实验部分 | 第54-64页 |
| 3.2.1 实验试剂和原料 | 第54页 |
| 3.2.2 材料的表征设备与仪器 | 第54-55页 |
| 3.2.3 掠入式X射线衍射(GIXD)测试 | 第55-56页 |
| 3.2.4 共振软X射线衍射(RSoXS)测试 | 第56页 |
| 3.2.5 聚合物场效应晶体管器件的制备与测试 | 第56页 |
| 3.2.6 聚合物光伏电池器件的制备与测试 | 第56-57页 |
| 3.2.7 空间电荷限制电流法测试载流子迁移率 | 第57页 |
| 3.2.8 单体和聚合物的合成与表征 | 第57-64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-81页 |
| 3.3.1 单体和聚合物的合成与表征 | 第64-65页 |
| 3.3.2 聚合物PFBT4T-C5Si的热性能 | 第65-66页 |
| 3.3.3 聚合物的紫外吸收特性和能级 | 第66-69页 |
| 3.3.4 聚合物的AFM形貌表征 | 第69-70页 |
| 3.3.5 聚合物的场效应晶体管(OFET)性能 | 第70-71页 |
| 3.3.6 聚合物及共混膜的SCLC迁移率 | 第71-73页 |
| 3.3.7 聚合物的光伏性能 | 第73-77页 |
| 3.3.8 聚合物共混膜的TEM测试 | 第77-78页 |
| 3.3.9 聚合物的GIXD测试 | 第78-80页 |
| 3.3.10 聚合物的RSoXS测试 | 第80-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第四章 新型结构单元氮杂对醌二甲烷的设计合成及其用于构筑高迁移率窄带隙共轭聚合物 | 第83-112页 |
| 4.1 引言 | 第83-85页 |
| 4.2 实验部分 | 第85-99页 |
| 4.2.1 实验试剂和原料 | 第85页 |
| 4.2.2 材料的表征设备与仪器 | 第85-86页 |
| 4.2.3 掠入式X射线衍射(GIXD)测试 | 第86页 |
| 4.2.4 聚合物场效应晶体管器件的制备与测试 | 第86-87页 |
| 4.2.5 计算模型 | 第87页 |
| 4.2.6 单体和聚合物的合成与表征 | 第87-99页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第99-110页 |
| 4.3.1 单体和聚合物的合成与表征 | 第99-100页 |
| 4.3.2 化合物的结构表征 | 第100-101页 |
| 4.3.3 聚合物的紫外吸收特性和能级 | 第101-104页 |
| 4.3.4 理论模拟 | 第104-107页 |
| 4.3.5 聚合物的场效应晶体管(OFET)性能 | 第107-108页 |
| 4.3.6 聚合物的GIXD测试 | 第108-110页 |
| 4.3.7 聚合物的AFM形貌表征 | 第110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 第五章 基于氮杂对醌二甲烷和联三噻吩的高迁移率窄带隙共轭聚合物的侧链调控和优化 | 第112-133页 |
| 5.1 引言 | 第112-114页 |
| 5.2 实验部分 | 第114-124页 |
| 5.2.1 实验试剂和原料 | 第114页 |
| 5.2.2 材料的表征设备与仪器 | 第114-115页 |
| 5.2.3 掠入式X射线衍射(GIXD)测试 | 第115页 |
| 5.2.4 聚合物场效应晶体管器件的制备与测试 | 第115-116页 |
| 5.2.5 单体和聚合物的合成与表征 | 第116-124页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第124-132页 |
| 5.3.1 单体和聚合物的合成与表征 | 第124-125页 |
| 5.3.2 聚合物的紫外吸收特性和能级 | 第125-127页 |
| 5.3.3 聚合物的场效应晶体管性能 | 第127-129页 |
| 5.3.4 聚合物的GIXD测试 | 第129-131页 |
| 5.3.5 聚合物的AFM形貌表征 | 第131-132页 |
| 5.4 本章小结 | 第132-133页 |
| 结论 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-153页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第153-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
| 附件 | 第156页 |
