| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 忆阻器理论的发展概况 | 第10-11页 |
| 1.2.2 基于忆阻器的应用研究 | 第11-13页 |
| 1.2.3 基于忆阻器的逻辑器件的研究概况 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容及意义 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 忆阻器的理论概念与模型 | 第17-27页 |
| 2.1 忆阻器的基本概念 | 第17-21页 |
| 2.1.1 忆阻器的基本理论概述 | 第17-18页 |
| 2.1.2 HP实验室忆阻器的数学描述 | 第18-21页 |
| 2.2 忆阻器的模型 | 第21-24页 |
| 2.2.1 线性离子漂移模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 非线性离子漂移模型 | 第22-23页 |
| 2.2.3 西蒙斯隧道势垒模型 | 第23页 |
| 2.2.4 阈值自适应模型 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-27页 |
| 第三章 基于忆阻器的实质蕴涵IMPLY | 第27-45页 |
| 3.1 IMPLY的设计原则和方法 | 第27-36页 |
| 3.1.1 IMPLY的理论基础 | 第27-28页 |
| 3.1.2 IMPLY门的电路实现 | 第28-29页 |
| 3.1.3 IMPLY门电路的伏安特性分析 | 第29-30页 |
| 3.1.4 设计方法与性能分析 | 第30-36页 |
| 3.2 基于IMPLY的基本逻辑门的实现 | 第36-39页 |
| 3.2.1 基于IMPLY的布尔函数 | 第36-38页 |
| 3.2.2 基于IMPLY的逻辑门的电路实现 | 第38-39页 |
| 3.3 基于IMPLY的逻辑门的仿真实验 | 第39-43页 |
| 3.3.1 仿真参数设置 | 第40页 |
| 3.3.2 仿真结果分析 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 忆阻器辅助逻辑门MAGIC | 第45-61页 |
| 4.1 MAGIC的电路原理 | 第45-46页 |
| 4.2 MAGIC逻辑门的实现 | 第46-55页 |
| 4.2.1 与门AND | 第46-48页 |
| 4.2.2 与非门NAND | 第48-49页 |
| 4.2.3 或门OR | 第49-51页 |
| 4.2.4 或非门NOR | 第51-53页 |
| 4.2.5 非门NOT | 第53-54页 |
| 4.2.6 TEAM模型中各MAGIC门的电路参数 | 第54-55页 |
| 4.3 基于MAGIC的新型或门OR | 第55-56页 |
| 4.4 MAGIC逻辑门的仿真实验 | 第56-60页 |
| 4.4.1 仿真参数设置 | 第56页 |
| 4.4.2 仿真结果分析 | 第56-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 基于MAGIC的异或门的直接实现电路 | 第61-87页 |
| 5.1 基于IMPLY的异或门 | 第61-63页 |
| 5.1.1 基于IMPLY的异或门的原理 | 第61-62页 |
| 5.1.2 基于IMPLY异或门的电路实现 | 第62-63页 |
| 5.2 基于MAGIC的异或门Ⅰ | 第63-69页 |
| 5.2.1 XOR门电路的设计原理 | 第63-64页 |
| 5.2.2 XOR门Ⅰ的电路实现 | 第64-69页 |
| 5.3 基于MAGIC的异或门Ⅰ | 第69-70页 |
| 5.4 异或门的仿真实验 | 第70-86页 |
| 5.4.1 基于IMPLY的异或门 | 第70-76页 |
| 5.4.2 基于MAGIC的异或门Ⅰ | 第76-79页 |
| 5.4.3 基于MAGIC的异或门Ⅱ | 第79-84页 |
| 5.4.4 异或门的性能分析 | 第84-85页 |
| 5.4.5 基于MAGIC异或门的问题分析 | 第85-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 6.1 本文成果总结 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-97页 |
| 硕士期间发表的论文和科研成果 | 第97页 |