| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 热电材料的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 选题意义 | 第8-9页 |
| 1.2 热电材料的研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 低温热电材料Bi2Te3基合金 | 第9-10页 |
| 1.2.2 中温热电材料PbTe合金和CoSb3类 | 第10页 |
| 1.2.3 高温热电材料SiGe基合金 | 第10-11页 |
| 1.2.4 新型热电材料氧化物 | 第11页 |
| 1.2.5 新型热电材料Skutterudite | 第11-12页 |
| 1.2.6 新型热电材料Half-Heusler化合物 | 第12页 |
| 1.2.7 笼式化合物热电材料 | 第12页 |
| 1.2.8 准晶材料 | 第12-13页 |
| 1.2.9 低维热电材料 | 第13页 |
| 1.2.10 氮化镓热电材料 | 第13-14页 |
| 1.2.11 其他新型热电材料 | 第14页 |
| 1.3 研究内容及论文安排 | 第14-16页 |
| 第2章 理论计算和热电性能提高方法 | 第16-24页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16页 |
| 2.2 绝热近似 | 第16-17页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第17-18页 |
| 2.3.1 HoHenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第18页 |
| 2.4 交换相关泛函 | 第18-20页 |
| 2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第18-19页 |
| 2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第19-20页 |
| 2.4.3 非局域泛函 | 第20页 |
| 2.4.4 轨道泛函 | 第20页 |
| 2.4.5 杂化泛函 | 第20页 |
| 2.5 玻尔兹曼理论 | 第20-21页 |
| 2.6 提高热电性能的方法 | 第21-22页 |
| 2.6.1 合金化 | 第21页 |
| 2.6.2 掺杂 | 第21页 |
| 2.6.3 低维化 | 第21-22页 |
| 2.6.4 梯度化 | 第22页 |
| 2.7 软件介绍 | 第22-23页 |
| 2.8 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 GaN及其合金AlGaN和In GaN的电子结构 | 第24-32页 |
| 3.1 GaN和AlGaN的电子结构 | 第24-30页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第24页 |
| 3.1.2 GaN和AlGaN的晶体结构 | 第24-25页 |
| 3.1.3 GaN和AlGaN的能带结构 | 第25-26页 |
| 3.1.4 GaN和AlGaN的态密度图 | 第26-27页 |
| 3.1.5 GaN和InGaN的晶体结构 | 第27-28页 |
| 3.1.6 GaN和InGaN的能带结构 | 第28-29页 |
| 3.1.7 GaN和InGaN的态密度图 | 第29-30页 |
| 3.2 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 GaN和AlGaN合金的热电性质 | 第32-42页 |
| 4.1 塞贝克系数 | 第32-33页 |
| 4.2 电导率 | 第33-35页 |
| 4.3 功率因子 | 第35-37页 |
| 4.4 热电优值 | 第37-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第5章 GaN和InGaN合金的热电性质 | 第42-52页 |
| 5.1 塞贝克系数 | 第42-43页 |
| 5.2 电导率 | 第43-45页 |
| 5.3 功率因子 | 第45-47页 |
| 5.4 热电优值 | 第47-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
