| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 铀与铀污染 | 第12-16页 |
| 1.1.1 铀和铀的化合物 | 第12页 |
| 1.1.2 铀污染废水来源 | 第12-13页 |
| 1.1.3 含铀废水的性质及危害 | 第13-14页 |
| 1.1.4 铀污染废水的处理方法 | 第14-16页 |
| 1.2 黑曲霉 | 第16-18页 |
| 1.2.1 黑曲霉简介 | 第16-17页 |
| 1.2.2 黑曲霉的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 纳米Fe_3O_4 | 第18-20页 |
| 1.3.1 纳米Fe_3O_4的简介 | 第18-19页 |
| 1.3.2 Fe_3O_4的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 复合材料 | 第20-21页 |
| 1.4.1 复合材料简介 | 第20页 |
| 1.4.2 复合材料研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 研究目的、意义及内容 | 第21-24页 |
| 1.5.1 研究目的及意义 | 第21页 |
| 1.5.2 研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 1.5.3 研究的技术路线 | 第22-24页 |
| 第2章 试验材料、设备及方法 | 第24-30页 |
| 2.1 试验材料 | 第24-25页 |
| 2.1.1 菌种来源 | 第24页 |
| 2.1.2 试验药品 | 第24-25页 |
| 2.1.3 试验仪器 | 第25页 |
| 2.2 试验方法 | 第25-30页 |
| 2.2.1 培养基的配置 | 第25-26页 |
| 2.2.2 菌种的保存 | 第26页 |
| 2.2.3 黑曲霉孢子悬浮液的制备 | 第26页 |
| 2.2.4 黑曲霉的生长状况 | 第26-27页 |
| 2.2.5 Fe_3O_4的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.6 Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的制备 | 第28页 |
| 2.2.7 吸附试验 | 第28-29页 |
| 2.2.8 解析试验 | 第29页 |
| 2.2.9 吸附剂吸附U(Ⅵ)前后表征 | 第29-30页 |
| 第3章 Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球复合材料的研究 | 第30-38页 |
| 3.1 纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的性能测定 | 第30-31页 |
| 3.2 纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的制备条件的优化试验 | 第31-33页 |
| 3.2.1 黑曲霉孢子悬浮液的用量对制备纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.2 转速对制备Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 Fe_3O_4含量对制备Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球的影响 | 第33页 |
| 3.3 材料合成分析 | 第33-35页 |
| 3.3.1 扫描电镜与能谱分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 红外光谱分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 磁性表征 | 第35页 |
| 3.4 对比试验 | 第35-36页 |
| 3.4.1 黑曲霉和Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附结果 | 第36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球对U(Ⅵ)的吸附性能及机理 | 第38-46页 |
| 4.1 纳米Fe_3O_4含量对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第38-39页 |
| 4.2 接触时间对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第39页 |
| 4.3 pH值对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第39-40页 |
| 4.4 投加量对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第40-41页 |
| 4.5 温度对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第41页 |
| 4.6 U(Ⅵ)初始浓度对纳米Fe_3O_4/黑曲霉磁性微球吸附U(Ⅵ)的影响 | 第41-42页 |
| 4.7 扫描电镜与能谱分析 | 第42-43页 |
| 4.8 红外光谱分析 | 第43-44页 |
| 4.9 解析试验 | 第44-45页 |
| 4.10 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 结论与建议 | 第46-48页 |
| 5.1 结论 | 第46-47页 |
| 5.2 创新点 | 第47页 |
| 5.3 建议 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-56页 |
| 附录A 铀标准溶液的配制及测定方法 | 第56-57页 |
| 附录B 铀标准曲线 | 第57-58页 |
| 附录C 已发论文情况及参与科研项目 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
