| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 纳米科技与纳米材料 | 第13-16页 |
| 1.1.1 纳米科技的发展简介 | 第13-14页 |
| 1.1.2 纳米材料的特性 | 第14-15页 |
| 1.1.3 纳米材料制备与发展 | 第15-16页 |
| 1.2 二维材料的生长 | 第16-18页 |
| 1.2.1 固体表面吸附 | 第16-17页 |
| 1.2.2 二维材料的三种生长模式 | 第17-18页 |
| 1.3 分子自组装 | 第18-21页 |
| 1.3.1 自组装的典型作用力 | 第18-19页 |
| 1.3.2 影响分子自组结构的主要因素 | 第19-20页 |
| 1.3.3 固体表面的分子自组装 | 第20-21页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验仪器与技术 | 第23-41页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第23-27页 |
| 2.1.1 真空区域的划分 | 第23页 |
| 2.1.2 常用的真空泵 | 第23-25页 |
| 2.1.3 超高真空的维护 | 第25-27页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第27-29页 |
| 2.3 低温技术 | 第29-31页 |
| 2.4 强磁场技术 | 第31-32页 |
| 2.5 扫描隧道显微技术 | 第32-41页 |
| 2.5.1 STM的工作原理 | 第32-34页 |
| 2.5.2 STM的基本结构 | 第34-38页 |
| 2.5.3 扫描隧道谱（STS） | 第38-41页 |
| 第3章 酞菁钴在半金属铋表面生长的结构转变 | 第41-49页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 酞菁钴二维材料的制备 | 第42-43页 |
| 3.2.1 衬底Bi(111)的制备与表征 | 第42页 |
| 3.2.2 CoPc分子二维材料的制备 | 第42-43页 |
| 3.3 酞菁钴二维材料在生长过程中的结构转变 | 第43-47页 |
| 3.3.1 单分子与分子链 | 第43-44页 |
| 3.3.2 单分子层中的结构转变 | 第44-46页 |
| 3.3.3 第二分子层中的分子取向转变 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 金属镓二维材料在硅表面的生长与结构研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 金属Ga二维材料的制备与模拟方法 | 第50-51页 |
| 4.2.1 衬底Si(111)- × -Ga的制备与表征 | 第50-51页 |
| 4.2.2 金属Ga二维材料的制备 | 第51页 |
| 4.2.3 Ga膜结构的模拟方法 | 第51页 |
| 4.3 实验结果 | 第51-58页 |
| 4.3.1 单原子层Ga膜结构 | 第51-56页 |
| 4.3.2 第二层Ga膜 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 生长在Si(111)-7×7 表面上金属镉二维材料的透明性：原子尺度下的界面成像 | 第59-69页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 金属Cd二维材料的制备 | 第60页 |
| 5.3 金属Cd二维材料的透明性 | 第60-66页 |
| 5.4 安德森局域引起的量子尺寸效应 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 论文总结 | 第69-70页 |
| 6.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-85页 |
| 攻读博士学位期间的科研情况 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |