| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第13-23页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第13页 |
| 1.2 纳米管研究概况 | 第13-18页 |
| 1.2.1 碳纳米管的发展历史 | 第13-15页 |
| 1.2.2 碳纳米管的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 碳纳米管的物理和化学性质 | 第16-17页 |
| 1.2.4 碳纳米管的应用前景 | 第17-18页 |
| 1.3 硅碳纳米管的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3.1 硅碳纳米管的物理和化学性质 | 第18-19页 |
| 1.3.2 硅碳纳米管的应用 | 第19页 |
| 1.4 石墨烯的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文研究内容和意义 | 第21-22页 |
| 1.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第23-47页 |
| 2.1 多粒子系统的SCHRODINGER方程 | 第24页 |
| 2.2 BORN-OPPENHEIMER近似 | 第24-25页 |
| 2.3 轨道近似 | 第25页 |
| 2.4 HARTREE-FOCK方程 | 第25-26页 |
| 2.5 ROOTHANN方程 | 第26-27页 |
| 2.6 电子相关作用 | 第27-31页 |
| 2.6.1 组态相互作用(CI)方法 | 第28-31页 |
| 2.7 密度泛函理论(DFT)简介 | 第31-40页 |
| 2.7.1 Thomas-Fermi模型 | 第32-33页 |
| 2.7.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第33-35页 |
| 2.7.3 Kohn-Sham方法 | 第35-37页 |
| 2.7.4 密度泛函理论的发展和应用 | 第37-40页 |
| 2.8 本论文所用软件的介绍 | 第40-45页 |
| 2.8.1 Dmol3简介 | 第40-41页 |
| 2.8.2 Dmol3工作原理 | 第41页 |
| 2.8.3 几个重要物理量 | 第41-45页 |
| 2.9 本章小结 | 第45-47页 |
| 第3章 碳纳米管内P-YLIDE反应的理论研究 | 第47-55页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 理论模型和计算方法 | 第48页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第48-51页 |
| 3.3.1 气相中的P-YLIDE反应 | 第48-49页 |
| 3.3.2 不同手性的碳纳米管对反应的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.3 碳纳米管的固体溶剂特性 | 第51页 |
| 3.4 结论 | 第51-55页 |
| 第4章 一氧化碳和单缺陷碳纳米管的相互作用 | 第55-65页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第56-57页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第57-60页 |
| 4.3.1 第一个一氧化碳分子吸附到单缺陷碳纳米管上 | 第57页 |
| 4.3.2 一氧化碳的碳原子插入到单缺陷碳纳米管中 | 第57-59页 |
| 4.3.3 移除碳纳米管上的氧原子 | 第59-60页 |
| 4.4 碳纳米管的曲率对修复能垒的影响 | 第60-61页 |
| 4.5 缺陷迁移对于碳纳米管修复的影响 | 第61-62页 |
| 4.6 熵效应对修复能垒的影响 | 第62-63页 |
| 4.7 小结 | 第63页 |
| 4.8 结论 | 第63-65页 |
| 第5章 二氯化碳分子同硅碳纳米管的相互作用 | 第65-83页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第65-66页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第66-82页 |
| 5.3.1 三元环结构的形成 | 第66-68页 |
| 5.3.2 三元环构型的转变 | 第68-69页 |
| 5.3.3 曲率的影响 | 第69-74页 |
| 5.3.4 单个二氯化碳吸附对硅碳纳米管电子性质的影响 | 第74页 |
| 5.3.5 更多的二氯化碳分子吸附到硅碳纳米管上 | 第74-82页 |
| 5.4 结论 | 第82-83页 |
| 第6章 二氧化氮分子化学吸附到硅碳纳米管的理论研究 | 第83-103页 |
| 6.1 引言 | 第83-84页 |
| 6.2 计算方法和模型 | 第84页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第84-101页 |
| 6.3.1 单个二氧化氮分子吸附到锯齿型的硅碳纳米管 | 第84-90页 |
| 6.3.2 多个二氧化氮吸附到(8,0)硅碳纳米管 | 第90-98页 |
| 6.3.3 二氧化氮的吸附所带来的(8,0)硅碳纳米管电子性质的改变 | 第98-101页 |
| 6.4 结论 | 第101-103页 |
| 第7章 铍和硼修饰的椅式石墨烯纳米带边缘形成平面四配位碳结构 | 第103-113页 |
| 7.1 引言 | 第103页 |
| 7.2 计算模型和计算方法 | 第103-104页 |
| 7.3 结果和讨论 | 第104-112页 |
| 7.3.1 原子修饰椅式石墨烯边缘的构型 | 第104-108页 |
| 7.3.2 为什么是Be和B原子? | 第108-109页 |
| 7.3.3 铍和硼修饰的AGNR的稳定性分析 | 第109-110页 |
| 7.3.4 铍和硼修饰的AGNR的电子性质 | 第110-112页 |
| 7.4 结论 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-133页 |
| 作者简介 | 第133-135页 |
| 攻读博士学位期间发表和完成的论文 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
