| 中文摘要 | 第5-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第20-46页 |
| 1.1 引言 | 第20-22页 |
| 1.2 Cu-Ta-S化合物 | 第22-25页 |
| 1.3 失配层状硫化物 | 第25-33页 |
| 1.3.1 失配层状硫化物的定义,特点和与研究现状 | 第25-32页 |
| 1.3.2 失配层状化合物的合成技术 | 第32-33页 |
| 1.3.2.1 高温固相法 | 第33页 |
| 1.3.2.2 气相传输法 | 第33页 |
| 1.3.2.3 离子溅射沉积法 | 第33页 |
| 1.4 化学气相传输(CVT)法 | 第33-34页 |
| 1.5 高温高压合成方法 | 第34-39页 |
| 1.5.1 高温高压合成方法概述 | 第34-36页 |
| 1.5.2 高温高压装置 | 第36-39页 |
| 1.5.2.1 高压分类 | 第36页 |
| 1.5.2.2 产生静态高压的高温高压装置 | 第36-39页 |
| 1.6 本文中用到的表征方法和测试手段 | 第39-44页 |
| 1.6.1 X射线光电子能谱 | 第39-41页 |
| 1.6.2 Raman光谱 | 第41-42页 |
| 1.6.3 扫描电子显微镜(SEM)分析及制样规则 | 第42-43页 |
| 1.6.4 透射电子显微镜(TEM)分析及制样规则 | 第43页 |
| 1.6.5 X-射线单晶结构分析 | 第43页 |
| 1.6.6 X-射线衍射(XRD)分析 | 第43-44页 |
| 1.6.7 TG/DTA分析 | 第44页 |
| 1.7 本课题选题的目的、意义及主要成果 | 第44-46页 |
| 第二章 针状CuTaS_3单晶体的CVT法合成 | 第46-66页 |
| 2.1 引言 | 第46-47页 |
| 2.2 针状CuTaS_3晶体的合成方法及条件 | 第47-48页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第47页 |
| 2.2.2 晶体生长实验 | 第47-48页 |
| 2.2.2.1 实验步骤 | 第47-48页 |
| 2.2.2.2 合成条件的讨论 | 第48页 |
| 2.3 X-射线单晶结构分析 | 第48-53页 |
| 2.3.1 晶体结构的测定和晶体学数据 | 第48-50页 |
| 2.3.2 结构描述 | 第50-53页 |
| 2.4 CuTaS_3晶体的测试与表征 | 第53-56页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第54页 |
| 2.4.2 EDX测试 | 第54-55页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第55页 |
| 2.4.4 DTA/TG研究 | 第55-56页 |
| 2.5 CuTaS_3晶体的XPS分析 | 第56-62页 |
| 2.5.1 XPS全谱 | 第56-57页 |
| 2.5.2 Cu_(2p) XPS谱图 | 第57-59页 |
| 2.5.3 S_(2p) XPS谱图 | 第59-60页 |
| 2.5.4 Ta_(4f) XPS谱图 | 第60-62页 |
| 2.6 Raman光谱分析 | 第62-64页 |
| 2.6.1 CuTaS_3的Raman振动模式 | 第62-63页 |
| 2.6.2 Raman谱图分析 | 第63-64页 |
| 2.6.3 Raman位移的归属 | 第64页 |
| 2.7 本章小结 | 第64-66页 |
| 第三章 失配层状硫化物的卷曲状形貌研究 | 第66-94页 |
| 3.1 引言 | 第66-69页 |
| 3.1.1 (PbS)_(1.14)(NbS_2)_m的结构与性质 | 第66-68页 |
| 3.1.2 失配层状硫化物的卷曲状形貌研究现状 | 第68页 |
| 3.1.3 本章选题意义及目的 | 第68-69页 |
| 3.2 各种卷曲形貌的失配层状硫化物CVT法合成 | 第69-78页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第69-70页 |
| 3.2.2 合成实验 | 第70-74页 |
| 3.2.3 合成实验结果与讨论 | 第74-78页 |
| 3.2.3.1 Pb-Nb-S体系 | 第74-76页 |
| 3.2.3.2 Sn-Nb-S体系 | 第76-77页 |
| 3.2.3.3 Pb-Ta-S体系 | 第77-78页 |
| 3.2.3.4 Bi-Nb-S体系 | 第78页 |
| 3.3 实验产物的形貌 | 第78-84页 |
| 3.3.1 Leica光学显微镜 | 第78-80页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第80-83页 |
| 3.3.2.1 Pb-Nb-S体系 | 第80-82页 |
| 3.3.2.2 Sn-Nb-S体系 | 第82-83页 |
| 3.3.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第83-84页 |
| 3.4 (PbS)_(1.14)NbS_2的XPS分析 | 第84-86页 |
| 3.5 Raman测试 | 第86-91页 |
| 3.5.1 晶格振动模式 | 第86-87页 |
| 3.5.2 Raman谱图 | 第87-91页 |
| 3.6 卷曲状形貌机理 | 第91-92页 |
| 3.7 本章小结 | 第92-94页 |
| 第四章 高温高压法合成失配层状硫化物 | 第94-114页 |
| 4.1 引言 | 第94-98页 |
| 4.1.1 高压技术在合成金属硫化物领域的应用 | 第95-96页 |
| 4.1.2 失配层状硫化物(PbS)_(1.18)TiS_2和(PbS)_(1.18)(TiS_2)_2 | 第96-98页 |
| 4.1.3 本章选题的目的及意义 | 第98页 |
| 4.2 高温高压法合成(PbS)_(1.18)TiS_2和(PbS)_(1.18)(TiS_2)_2 | 第98-107页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第98-99页 |
| 4.2.2 高温高压装置 | 第99-103页 |
| 4.2.3 (PbS)_(1.18)TiS_2和(PbS)_(1.18)(TiS_2)_2的高温高压合成实验 | 第103-107页 |
| 4.2.3.1 实验介绍 | 第103-105页 |
| 4.2.3.2 实验结果和讨论 | 第105-107页 |
| 4.3 高压产物的形貌 | 第107-109页 |
| 4.4 TG/DTA测试 | 第109-110页 |
| 4.5 Raman测试 | 第110-112页 |
| 4.6 本章小结 | 第112-114页 |
| 第五章 金属基底CVT法合成双金属硫化物的纳米结构 | 第114-134页 |
| 5.1 引言 | 第114-116页 |
| 5.2 金属基底CVT法合成Cu_(0.65)TaS_2六边形纳米片 | 第116-126页 |
| 5.2.1 实验试剂 | 第116页 |
| 5.2.2 实验介绍 | 第116-118页 |
| 5.2.3 实验条件对合成Cu_(0.65)TaS_2六边形纳米片的影响 | 第118-120页 |
| 5.2.4 产物的形貌分析 | 第120-123页 |
| 5.2.5 XPS谱图分析 | 第123-126页 |
| 5.3 金属基底CVT法合成(PbS)_(1.14)NbS_2纳米带 | 第126-131页 |
| 5.3.1 实验试剂 | 第126页 |
| 5.3.2 实验介绍 | 第126-127页 |
| 5.3.3 实验条什对(PbS)_(1.14)NbS_2纳米带合成的影响 | 第127-128页 |
| 5.3.4 Nb片上产物的形貌 | 第128-130页 |
| 5.3.5 XPS测试 | 第130页 |
| 5.3.6 Raman谱图分析 | 第130-131页 |
| 5.4 本章小结 | 第131-134页 |
| 第六章 结论 | 第134-138页 |
| 参考文献 | 第138-160页 |
| 致谢 | 第160-162页 |
| 作者简历 | 第162页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第162页 |
