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T型自由层自旋力矩转移磁隧道结结构的设计与模拟计算

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-9页
1 绪论第9-20页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 磁阻效应及磁隧道结第10-12页
    1.3 传统的 MRAM第12-14页
    1.4 自旋力矩转移磁随机存储器(Spin Transfer Torque-MRAM,STT-MRAM)第14-17页
    1.5 磁随机存储器产业化的状况第17-18页
    1.6 课题研究意义与主要工作第18-20页
2 微磁模拟及热分析方法第20-26页
    2.1 微磁模拟的理论基础第20-23页
    2.2 Magoasis 磁模拟软件第23-24页
    2.3 热分析基础及有限元分析方法第24-25页
    2.4 本章小结第25-26页
3 T 型自由层自旋力矩转移磁随机存储器单元的设计与计算模型的构建第26-34页
    3.1 T 型自由层自旋力矩转移磁随机存储器单元结构的设计第26-29页
    3.2 T 型自由层自旋力矩转移磁随机存储器单元计算模型的构建第29-33页
    3.3 本章小结第33-34页
4 T 型自由层自旋力矩转移磁随机存储单元 STT 磁化反转特性的计算与分析第34-60页
    4.1 T 型自由层存 MTJ 储器单元与常规 MTJ 存储单元的 STT 磁化反转过程及特性比较第34-40页
    4.2 T 型自由层 MTJ 存储器单元结构优化第40-50页
    4.3. T 型自由层 MTJ 存储单元的热辅助 STT 磁化翻转模拟第50-57页
    4.4 本章小结第57-60页
5 总结与展望第60-62页
    5.1 总结第60-61页
    5.2 展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-68页
附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文或专利第68页

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