| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 量子霍尔效应与拓扑序 | 第9-11页 |
| 1.3 拓扑绝缘体研究现状 | 第11-19页 |
| 1.3.1 二维拓扑绝缘体 | 第11-14页 |
| 1.3.2 三维拓扑绝缘体 | 第14-19页 |
| 1.4 拓扑不变量Z_2 | 第19-21页 |
| 1.5 本文研究内容和意义 | 第21-22页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第22-30页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第22-27页 |
| 2.1.1 绝热近似和单电子近似 | 第22-24页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第24-25页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第26-27页 |
| 2.2 赝势方法 | 第27-28页 |
| 2.3 VASP软件包 | 第28-30页 |
| 第三章 拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3薄膜的电子结构调控研究 | 第30-34页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 模型和方法 | 第31-32页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 非磁性原子掺杂拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜的电子结构调控研究 | 第34-42页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 模型和方法 | 第35-36页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第36-40页 |
| 4.3.1 分别掺杂VI元素Se、S、O的Bi_2Te_3薄膜电子结构的变化 | 第36-38页 |
| 4.3.2 分别掺杂III元素Tl、In、Ga、Al，Bi_2Te_3薄膜电子结构的变化 | 第38-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42-43页 |
| 5.2 展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参与的科研项目 | 第49页 |
