| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-39页 |
| ·热电学研究背景 | 第14-18页 |
| ·热电学发展历史 | 第14-17页 |
| ·热电材料的工业应用史 | 第17-18页 |
| ·热电学的固体传输理论 | 第18-27页 |
| ·Seebeck系数 | 第18-20页 |
| ·电导率 | 第20-22页 |
| ·热导率 | 第22页 |
| ·洛伦兹系数L的计算 | 第22-24页 |
| ·材料热电优值的优化 | 第24-27页 |
| ·热电材料的研究现状 | 第27-35页 |
| ·PbTe基热电材料 | 第28-31页 |
| ·AgSbTe_2基热电材料 | 第31-32页 |
| ·Mg_2Si基热电材料 | 第32-34页 |
| ·Half-Heusler热电材料 | 第34页 |
| ·InSb基热电材料 | 第34-35页 |
| ·本文主要研究内容与思路 | 第35-39页 |
| ·AgSbTe_2与Ⅳ-Ⅵ化合物形成的伪二元化合物 | 第35-36页 |
| ·InSb基热电材料 | 第36-37页 |
| ·Pb_(10)Te_(10-x)Se_x化合物 | 第37-39页 |
| 第二章 实验方法 | 第39-51页 |
| ·实验原料及仪器 | 第39-40页 |
| ·实验原料 | 第39页 |
| ·实验仪器 | 第39-40页 |
| ·材料制备工艺 | 第40-41页 |
| ·真空封管熔炼 | 第40页 |
| ·熔体旋甩 | 第40-41页 |
| ·真空热压烧结工艺 | 第41页 |
| ·材料的物相、微结构与电声输运性能分析 | 第41-51页 |
| ·材料的物相结构分析 | 第41页 |
| ·材料微观形貌和成分分析 | 第41页 |
| ·材料热学性能测试 | 第41-44页 |
| ·材料电学性能测试 | 第44-51页 |
| 第三章 (AgSbTe_2)_(15)(GeTe)_(85)热电半导体的能带结构与电声输运特性 | 第51-75页 |
| ·TAGS85材料的能带结构 | 第51-53页 |
| ·TAGS85材料的热电输运特性与能带结构 | 第53-65页 |
| ·TAGS85热电材料的制备和物相结构 | 第53-54页 |
| ·缓冷热压法制备TAGS85材料的热电输运性能 | 第54-57页 |
| ·TAGS85材料的能带结构分析 | 第57-65页 |
| ·熔体旋甩TAGS85材料性能的优化 | 第65-74页 |
| ·熔体旋甩TAGS85材料的物相结构 | 第66-68页 |
| ·熔体旋甩TAGS85材料的热电输运性能 | 第68-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 单相(AgSbTe_2)-Ⅳ-Ⅵ化合物固溶体的热电性能与电声输运特性 | 第75-93页 |
| ·无相变AgSbTe_2-SnTe热电材料的制备与能带结构 | 第75-85页 |
| ·SAT-SnTe热电材料的研究背景 | 第75-76页 |
| ·SAT-SnTe热电材料的物相结构 | 第76-78页 |
| ·SAT-SnTe热电材料的热电输运测试与性能分析 | 第78-85页 |
·(Ag_(0.366)Sb_(0.558)Te)1_(1-x)(GeTe)_x(0| 第85-90页 | |
| ·SAT-GeTe固溶体热电材料的物相结构 | 第85-86页 |
| ·SAT-GeTe固溶体热电材料的电声输运特性 | 第86-90页 |
| ·本章小结 | 第90-93页 |
| 第五章 InSb材料的热电性能优化 | 第93-111页 |
| ·n型InSb掺杂载流子浓度的优化 | 第93-99页 |
| ·n型InSb多晶材料的制备 | 第93-94页 |
| ·n型InSb的输运性能结果与分析 | 第94-98页 |
| ·n型InSb的能带结构表征 | 第98-99页 |
| ·InSb-NiSb双相材料的微观结构和热电性能研究 | 第99-107页 |
| ·InSb-NiSb试样的制备与测试方法 | 第99-100页 |
| ·InSb-NiSb试样的物相与微观结构分析 | 第100-104页 |
| ·InSb-NiSb试样的热电输运性能 | 第104-107页 |
| ·双掺InSb的制备及性能研究 | 第107-108页 |
| ·InSb材料中共振能级的实验性探索 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 第六章 VA族元素掺杂的Pb_(9.6)M_(0.2)Te_(10-x)Se_x化合物的电学和热学性能 | 第111-119页 |
| ·VA族元素掺杂的Pb_(9.6)M_(0.2)Te_(10-x)Se_x化合物的制备合成 | 第111-112页 |
| ·VA族元素掺杂的Pb_(9.6)M_(0.2)Te_(10-x)Se_x化合物的电学性能 | 第112-115页 |
| ·VA族元素掺杂的Pb_(9.6)M_(0.2)Te_(10-x)Se_x化合物的声学输运性能 | 第115-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 第七章 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 个人简历 | 第135-137页 |
| 博士生学习期间完成的论文与专利 | 第137-138页 |
| 发表论文 | 第137-138页 |
| 发明专利 | 第138页 |
