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热电材料缺陷结构的正电子湮没研究

摘要第6-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第13-29页
    1.1 热电材料的研究背景第13页
    1.2 热电效应及应用第13-19页
        1.2.1 Seebeck效应第14-15页
        1.2.2 Peltier效应第15页
        1.2.3 Thomson效应第15-16页
        1.2.4 热电效应的应用第16-19页
    1.3 热电材料的研究进展第19-27页
        1.3.1 笼合物(Clathrates)第20-21页
        1.3.2 Half-Heusler合金热电材料第21页
        1.3.3 氧化物热电材料第21-22页
        1.3.4 Zn_4Sb_3热电材料第22-23页
        1.3.5 方钻矿型热电材料第23-27页
    1.4 本文选题目的和意义第27-29页
第二章 正电子湮没谱学第29-49页
    2.1 正电子的产生及湮没过程第29-38页
        2.1.1 正电子与固体的相互作用第29-34页
        2.1.2 正电子湮没的捕获模型第34-37页
        2.1.3 电子偶素(Positronium)第37-38页
    2.2 正电子湮没参数的测量方法第38-45页
        2.2.1 正电子寿命谱第38-41页
        2.2.2 正电子寿命谱分析第41-42页
        2.2.3 多普勒展宽测量第42-45页
    2.3 慢正电子束技术简介第45-49页
        2.3.1 正电子源第45-46页
        2.3.2 正电子的传输第46-47页
        2.3.3 靶室及探测系统第47-49页
第三章 Ba填充对方钴矿结构的影响第49-59页
    3.1 引言第49-52页
    3.2 实验以及理论计算方法第52-53页
    3.3 结果与讨论第53-58页
        3.3.1 XRD分析第53-54页
        3.3.2 寿命谱分析与计算结果第54-58页
    3.4 本章小结第58-59页
第四章 等离子烧结的Zn_4Sb_3相结构可逆变化第59-72页
    4.1 引言第59-60页
    4.2 实验及理论计算方法第60-62页
        4.2.1 样品制备与表征第60-61页
        4.2.2 计算模型与方法第61-62页
    4.3 结果与讨论第62-71页
        4.3.1 物相分析(XRD分析)第62-65页
        4.3.2 正电子寿命结果讨论与分析第65-71页
    4.4 本章小结第71-72页
第五章 Zn_4Sb_3的缺陷结构及相变第72-86页
    5.1 引言第72-74页
    5.2 实验及理论计算方法第74-75页
        5.2.1 样品的制备与表征第74页
        5.2.2 计算模型与方法第74-75页
    5.3 结果与讨论第75-84页
        5.3.1 室温下的β-Zn_4Sb_3的结构模型第75-79页
        5.3.2 电阻率及比热随温度的变化第79-81页
        5.3.3 正电子湮没谱随温度的变化第81-84页
    5.4 本章小节第84-86页
参考文献第86-96页
博士期间科研成果目录第96-97页
致谢第97页

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