| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 半导体材料的特点及应用 | 第12-13页 |
| 1.2 单晶硅材料常用加工方式 | 第13-17页 |
| 1.2.1 外圆切割方式 | 第13-14页 |
| 1.2.2 内圆切割方式 | 第14页 |
| 1.2.3 多线切割方式 | 第14-15页 |
| 1.2.4 其他加工方式 | 第15-16页 |
| 1.2.5 电火花线切割加工 | 第16-17页 |
| 1.3 单晶硅晶体定向切割技术 | 第17-21页 |
| 1.3.1 单晶硅常用定向方法 | 第17-19页 |
| 1.3.2 单晶硅常用定向切割加工技术 | 第19-20页 |
| 1.3.3 单晶硅电火花定晶向切割 | 第20-21页 |
| 1.4 研究背景、意义及主要内容 | 第21-24页 |
| 1.4.1 课题研究背景及意义 | 第21-22页 |
| 1.4.2 课题主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 单晶硅定晶向切割及后处理表面轮廓对晶向精度的影响 | 第24-38页 |
| 2.1 电火花线切割单晶硅实验及检测设备 | 第24-28页 |
| 2.1.1 电火花线切割机床 | 第24-25页 |
| 2.1.2 其他检测设备 | 第25-28页 |
| 2.2 线切割表面轮廓与晶向误差的关系 | 第28-31页 |
| 2.3 电火花线切割后表面轮廓对晶向精度的影响 | 第31-33页 |
| 2.4 机械研磨后硅片表面轮廓对晶向精度的影响 | 第33-35页 |
| 2.5 化学腐蚀后硅片表面轮廓对晶向精度的影响 | 第35-37页 |
| 2.6 结论 | 第37-38页 |
| 第三章 基于X射线回摆曲线法测定单晶硅定晶向损伤层深度 | 第38-49页 |
| 3.1 X射线回摆曲线法检测原理 | 第38-40页 |
| 3.2 实验方法 | 第40-42页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第42-47页 |
| 3.3.1 不同能量对损伤层厚度的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.2 不同晶向对损伤层厚度的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 结论 | 第47-49页 |
| 第四章 多次切割对单晶硅晶向精度和损伤层深度的影响 | 第49-62页 |
| 4.1 定晶向单晶硅电火花多次切割原理及要求 | 第49-51页 |
| 4.1.1 电火花多次切割技术原理 | 第49页 |
| 4.1.2 单晶硅电火花多次切割的要求 | 第49-51页 |
| 4.2 定晶向放电切割加工参数的确定 | 第51-54页 |
| 4.2.1 单晶硅电火花线切割实验条件 | 第51-52页 |
| 4.2.2 不同能量对单晶硅加工表面质量的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第54-61页 |
| 4.3.1 多次切割对加工表面质量的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.2 多次切割对微观结构的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.3 多次切割对表面晶向精度的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 结论 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 课题完成的主要工作 | 第62-63页 |
| 5.2 课题后续研究展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第69页 |
