| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-33页 |
| 1.1 太阳电池技术发展概述 | 第11-13页 |
| 1.2 叠层太阳电池 | 第13-16页 |
| 1.3 Si-QDs薄膜研究现状 | 第16-31页 |
| 1.3.1 Si-QDs薄膜材料的制备技术 | 第16-23页 |
| 1.3.2 提高Si-QDs薄膜材料性能的方法 | 第23-27页 |
| 1.3.3 基于Si-QDs的光伏器件的研究进展 | 第27-31页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 试验材料和设备 | 第33-44页 |
| 2.1 样品制备 | 第33页 |
| 2.2 试验材料 | 第33-34页 |
| 2.3 样品制备装置 | 第34-38页 |
| 2.4 样品表征设备 | 第38-44页 |
| 第三章 含Si-QDs的梯度富硅Si Nx薄膜 | 第44-53页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验方法 | 第44-46页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第44-45页 |
| 3.2.2 样品制备 | 第45页 |
| 3.2.3 样品测试 | 第45-46页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 3.3.1 梯度薄膜和单层薄膜的结构性能比较 | 第46-50页 |
| 3.3.2 梯度薄膜和单层薄膜的发光特性比较 | 第50-51页 |
| 3.3.3 梯度薄膜和单层薄膜的电学性能比较 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 制备Si-QDs薄膜的退火方法研究 | 第53-69页 |
| 4.1 微波退火制备Si-QDs薄膜 | 第53-60页 |
| 4.1.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.1.2 实验方法 | 第54-55页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第55-59页 |
| 4.1.4 小结 | 第59-60页 |
| 4.2 滤光光热退火制备Si-QDs薄膜 | 第60-69页 |
| 4.2.1 引言 | 第60页 |
| 4.2.2 实验方法 | 第60-62页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第62-68页 |
| 4.2.4 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 掺杂对氮化硅基Si-QDs薄膜性能的影响 | 第69-83页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 Sb掺杂n型氮化硅基Si-QDs薄膜的制备和特性 | 第70-78页 |
| 5.2.1 实验 | 第70-71页 |
| 5.2.2 结果和讨论 | 第71-77页 |
| 5.2.3 小结 | 第77-78页 |
| 5.3 B掺杂p型氮化硅基Si-QDs薄膜的制备和特性 | 第78-83页 |
| 5.3.1 实验 | 第78-79页 |
| 5.3.2 结果和讨论 | 第79-82页 |
| 5.3.3 小结 | 第82-83页 |
| 第六章 Si-QDs/c-Si异质结太阳电池研究 | 第83-104页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 掺锑Si-QDs/c-Si异质结太阳电池 | 第83-94页 |
| 6.2.1 锑掺杂Si-QDs太阳电池原型器件的制备 | 第83-85页 |
| 6.2.2 Sb掺杂量对电池性能影响 | 第85-88页 |
| 6.2.3 器件面积对电池性能影响 | 第88-90页 |
| 6.2.4 对器件Sb/0.85/3.4 的优化 | 第90-94页 |
| 6.3 B掺杂Si-QDs/c-Si异质结太阳电池 | 第94-96页 |
| 6.3.1 实验 | 第94-95页 |
| 6.3.2 结果与讨论 | 第95-96页 |
| 6.4 基于SiNx/Si3N4多层膜的Si-QDs太阳电池 | 第96-102页 |
| 6.4.1 实验 | 第96-97页 |
| 6.4.2 结果与讨论 | 第97-102页 |
| 6.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 总结与展望 | 第104-109页 |
| 7.1 结论 | 第104-106页 |
| 7.2 主要创新点 | 第106-107页 |
| 7.3 展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-123页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第123-125页 |
| 1. 学术论文 | 第123-124页 |
| 2. 发明专利 | 第124页 |
| 3. 研究项目 | 第124页 |
| 4. 获奖 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
