| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 0.1 半导体存储器的发展与分类 | 第11-12页 |
| 0.2 电可擦除可编程只读存储器存储单元 | 第12页 |
| 0.3 论文主要工作内容及结构安排 | 第12-13页 |
| 第1章 电可擦除可编程存储器结构设计与存储单元 | 第13-24页 |
| 1.1 EEPROM结构设计 | 第13-16页 |
| 1.2 EEPROM存储单元结构 | 第16-18页 |
| 1.3 EEPROM存储单元工作原理 | 第18-22页 |
| 1.3.1 电荷输运机制 | 第18-20页 |
| 1.3.2 EEPROM存储单元的工作状态 擦除、写入、读出 | 第20-22页 |
| 1.4 EEPROM的耐久性 可靠性 | 第22-24页 |
| 第2章 EEPROM关键模块的设计与仿真 | 第24-52页 |
| 2.1 带隙基准电压源 | 第24-37页 |
| 2.1.1 正负温度系数 | 第24-28页 |
| 2.1.2 带隙基准的内部设计与仿真 | 第28-37页 |
| 2.2 高压产生电路 | 第37-48页 |
| 2.2.1 电荷泵原理 | 第37-41页 |
| 2.2.2 高压产生电路总体设计 | 第41-48页 |
| 2.3 灵敏放大器（Sense Amplifier） | 第48-52页 |
| 第3章 EEPROM整体电路功能仿真 | 第52-60页 |
| 3.1 EEPROM芯片功能描述与仿真 | 第52-59页 |
| 3.2 宽电源电压范围、低功耗设计 | 第59-60页 |
| 第4章 版图设计及后仿真 | 第60-66页 |
| 4.1 EEPROM整体版图设计 | 第60-62页 |
| 4.2 版图验证及后仿真 | 第62-66页 |
| 第5章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 进一步工作的方向 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参加科研情况 | 第71-72页 |