| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 固体激光器 | 第7-9页 |
| 1.1.1 固体激光器结构与工作原理 | 第7页 |
| 1.1.2 固体激光工作物质 | 第7-8页 |
| 1.1.3 激光陶瓷及研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2 稀土离子特点 | 第9-13页 |
| 1.2.1 稀土离子发光原理及其应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Tm~(3+)特点 | 第10-11页 |
| 1.2.3 Yb~(3+)的特点 | 第11-12页 |
| 1.2.4 Yb~(3+)—Tm~(3+)共掺体系的特点 | 第12-13页 |
| 1.3 氧化镧钆材料的性能 | 第13-14页 |
| 1.3.1 氧化钆的性质、用途及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 掺La~(3+)的Gd_2O_3性质及研究现状 | 第14页 |
| 1.4 课题的研究意义及主要内容 | 第14-16页 |
| 1.4.1 课题的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷粉体的制备 | 第16-31页 |
| 2.1 共沉淀法制备Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷粉体 | 第16-18页 |
| 2.1.1 实验试剂及仪器 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷粉体的制备 | 第17-18页 |
| 2.2 制备Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷粉体的最佳工艺条件 | 第18-30页 |
| 2.2.1 样品的选取 | 第18-19页 |
| 2.2.2 粉体与标准卡片的对比 | 第19-21页 |
| 2.2.3 制备粉体的最佳条件 | 第21-30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷的制备 | 第31-43页 |
| 3.1 陶瓷粉体的预处理 | 第31-34页 |
| 3.1.1 实验部分 | 第31-33页 |
| 3.1.2 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷粉体成型 | 第33-34页 |
| 3.2 陶瓷的烧结 | 第34-36页 |
| 3.2.1 烧结工艺 | 第34-35页 |
| 3.2.2 烧结过程 | 第35-36页 |
| 3.3 陶瓷的最佳烧结条件 | 第36-40页 |
| 3.4 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷的透过率 | 第40-42页 |
| 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 Tm,Yb:(GdLa)_2O_3陶瓷样品的表征与分析 | 第43-48页 |
| 4.1 样品的能谱分析 | 第43-44页 |
| 4.2 样品的红外光谱分析 | 第44页 |
| 4.3 样品的上转换光谱分析 | 第44-46页 |
| 4.4 样品的吸收光谱分析 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 附录 | 第54页 |
