| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 太阳能电池 | 第11-12页 |
| 1.2 III-V太阳能电池发展趋势和存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.2.1 III-V太阳能电池发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.2.2 III-V太阳能电池存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.3 III-V太阳能电池表面减反膜的分类及发展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 减反膜的分类 | 第14-15页 |
| 1.3.2 减反膜的发展及研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文工作的意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 理论与实验基础 | 第19-31页 |
| 2.1 理论基础 | 第19-24页 |
| 2.1.1 严格耦合波分析理论 | 第19-23页 |
| 2.1.2 严格耦合波分析理论的应用 | 第23-24页 |
| 2.2 实验所用设备 | 第24-31页 |
| 2.2.1 金属有机化学气相沉积 | 第24页 |
| 2.2.2 感应耦合等离子体化学气相沉积 | 第24-25页 |
| 2.2.3 等离子体刻蚀 | 第25-27页 |
| 2.2.4 椭圆偏振光谱仪 | 第27页 |
| 2.2.5 分光光度计 | 第27-29页 |
| 2.2.6 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.7 太阳能模拟器 | 第30-31页 |
| 第三章 GaInP电池的理论模拟 | 第31-44页 |
| 3.1 周期性表面纳结构电池仿真模型建立 | 第31-39页 |
| 3.1.1 不同纳米锥高度对电池吸收的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.2 窗口层厚度对电池吸收的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.3 不同底部介质层厚度组合对电池吸收的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 非周期性表面纳结构电池仿真模型建立 | 第39-44页 |
| 3.2.1 不同纳米锥高度对电池吸收的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 不同底部介质层厚度组合对电池吸收的影响 | 第41-44页 |
| 第四章 宽谱广角减反纳米结构制备及其Si系太阳能电池应用 | 第44-59页 |
| 4.1 纳结构制备 | 第44-50页 |
| 4.1.1 制备掩膜 | 第46-48页 |
| 4.1.2 刻蚀 | 第48页 |
| 4.1.3 去除掩膜 | 第48-50页 |
| 4.2 纳结构的Si系太阳能电池应用 | 第50-59页 |
| 4.2.1 应用于Si基薄膜太阳能电池表面的宽谱广角减反纳米结构的研究 | 第50-54页 |
| 4.2.2 应用于柔性a-SiGe:H太阳能电池表面SiNx复合结构的研究 | 第54-59页 |
| 第五章 基于宽谱广角减反结构的GaInP太阳能电池制备和表征 | 第59-67页 |
| 5.1 表面织构化单结GaInP电池的制备 | 第59-62页 |
| 5.2 表面织构化单结GaInP电池的性能表征 | 第62-67页 |
| 5.2.1 光学 | 第62-65页 |
| 5.2.2 电学 | 第65-67页 |
| 第六章 结论和展望 | 第67-69页 |
| 6.1 结论 | 第67-68页 |
| 6.2 研究不足及展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
