| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 锑化物II类超晶格红外探测器 | 第12-19页 |
| 1.1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.1.2 锑化物超晶格红外探测器优势 | 第14-16页 |
| 1.1.3 超晶格红外探测器研究进展 | 第16-19页 |
| 1.2 锑化物超晶格MOCVD生长 | 第19-22页 |
| 1.2.1 生长技术对比 | 第19-20页 |
| 1.2.2 锑化物超晶格MOCVD生长 | 第20-22页 |
| 1.3 课题背景及研究目的和意义 | 第22页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 试验材料和方法 | 第24-40页 |
| 2.1 试验材料 | 第24-25页 |
| 2.2 MOCVD生长方法 | 第25-28页 |
| 2.3 应变平衡方法 | 第28-33页 |
| 2.3.1 临界厚度 | 第28-30页 |
| 2.3.2 应变平衡超晶格 | 第30-33页 |
| 2.4 材料结构和形貌表征 | 第33-34页 |
| 2.5 材料光电性质表征 | 第34-40页 |
| 2.5.1 光学性质 | 第34-39页 |
| 2.5.2 电学性质 | 第39-40页 |
| 第3章 锑化物超晶格结构及生长工艺研究 | 第40-72页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 锑化物超晶格材料外延 | 第40-41页 |
| 3.3 GaAs基InAs/GaSb超晶格异质外延 | 第41-50页 |
| 3.3.1 GaAs基GaSb异质外延 | 第42-44页 |
| 3.3.2 GaAs基InAs/GaSb超晶格异质外延 | 第44-47页 |
| 3.3.3 InAs/GaSb超晶格材料微区拉曼光谱研究 | 第47-50页 |
| 3.4 GaSb基InAs/InAsSb超晶格MOCVD生长 | 第50-70页 |
| 3.4.1 衬底预处理及缓冲层生长参数优化 | 第52-54页 |
| 3.4.2 生长温度对超晶格Sb组分影响 | 第54-58页 |
| 3.4.3 V/III比对超晶格Sb组分影响 | 第58-59页 |
| 3.4.4 生长参数对超晶格表面形貌影响 | 第59-62页 |
| 3.4.5 生长参数对超晶格结构及光学性质影响 | 第62-66页 |
| 3.4.6 界面设计对超晶格结构及光学性质影响 | 第66-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第4章 InAs/InAsSb超晶格光致发光性质研究 | 第72-91页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 发光及淬灭机制 | 第73-79页 |
| 4.2.1 发光机制 | 第73-76页 |
| 4.2.2 淬灭机制 | 第76-79页 |
| 4.3 载流子局域 | 第79-82页 |
| 4.3.1 载流子局域机制 | 第79-81页 |
| 4.3.2 组分层厚度波动对载流子局域影响 | 第81-82页 |
| 4.4 载流子局域现象消除 | 第82-90页 |
| 4.4.1 生长温度调节 | 第82-86页 |
| 4.4.2 生长后退火处理 | 第86-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 InAsSb单极势垒红外探测器光电性能 | 第91-104页 |
| 5.1 引言 | 第91-93页 |
| 5.2 InAsSb单极势垒红外探测器 | 第93-97页 |
| 5.2.1 器件材料研究 | 第93-96页 |
| 5.2.2 器件工艺 | 第96-97页 |
| 5.3 器件光电性能 | 第97-102页 |
| 5.3.1 光响应 | 第97-99页 |
| 5.3.2 暗电流及探测率 | 第99-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 结论 | 第104-106页 |
| 创新点 | 第105页 |
| 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-118页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 个人简历 | 第121页 |
