| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 光存储发展及现状 | 第8-9页 |
| 1.2 相变光存储原理 | 第9-10页 |
| 1.3 相变光存储材料 | 第10-13页 |
| 1.3.1 相变光存储材料的发展 | 第10-12页 |
| 1.3.2 相变光存储材料的结构 | 第12-13页 |
| 1.4 相变材料相变过程热应力的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.5 本课题的研究目的及意义 | 第17-18页 |
| 第2章 模拟方法及实验方案介绍 | 第18-30页 |
| 2.1 有限元分析方法 | 第18-19页 |
| 2.2 ANSYS热力学分析 | 第19-22页 |
| 2.2.1 纳秒激光诱导温度场分析 | 第19-21页 |
| 2.2.2 激光诱导应力场分析 | 第21-22页 |
| 2.3 实验方案及仪器介绍 | 第22-28页 |
| 2.3.1 实验方案 | 第22-24页 |
| 2.3.2 实验设备 | 第24-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化过程温度场研究 | 第30-40页 |
| 3.1 不同激光能量诱导Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化 | 第31-32页 |
| 3.2 纳秒激光诱导晶化过程温度场模拟 | 第32-38页 |
| 3.2.1 模型构建及材料属性 | 第32-34页 |
| 3.2.2 薄膜表面温度场特征 | 第34-35页 |
| 3.2.3 Ge_2Sb_2Te_5表面温度变化 | 第35-36页 |
| 3.2.4 温度随激光辐照功率变化 | 第36-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化过程应力场研究 | 第40-50页 |
| 4.1 纳米压痕 | 第40-42页 |
| 4.2 模型建立 | 第42页 |
| 4.3 激光诱导下Ge_2Sb_2Te_5晶化过程应力场特征 | 第42-48页 |
| 4.3.1 薄膜表面的应力分布 | 第42-44页 |
| 4.3.2 Ge_2Sb_2Te_5表面应力特征 | 第44-45页 |
| 4.3.3 热应力与相变应力对比 | 第45-46页 |
| 4.3.4 不同功率下Ge_2Sb_2Te_5应力特征 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
