| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 重掺杂硅的出现 | 第10页 |
| 1.2 重掺杂硅的制备及机理 | 第10-15页 |
| 1.2.1 飞秒激光扫描法制备重掺杂硅 | 第10-13页 |
| 1.2.2 近红外波段的吸收机理 | 第13-15页 |
| 1.3 基于重掺杂硅的光电探测器研究现状 | 第15-21页 |
| 1.4 论文的研究意义 | 第21页 |
| 1.5 论文的创新点 | 第21-22页 |
| 1.6 论文的主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 重掺杂硅制备系统及工艺简介 | 第23-33页 |
| 2.1 离子注入简介 | 第23-25页 |
| 2.1.1 离子注入技术的原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 离子注入技术的特点 | 第24页 |
| 2.1.3 离子注入技术的优势 | 第24页 |
| 2.1.4 离子注入技术的应用 | 第24-25页 |
| 2.2 飞秒激光系统介绍 | 第25-29页 |
| 2.2.1 飞秒激光器 | 第25页 |
| 2.2.2 啁啾脉冲放大技术 | 第25-26页 |
| 2.2.3 展宽器、压缩器和再生放大腔的工作原理 | 第26-27页 |
| 2.2.4 调制光路、真空腔及移动平台 | 第27-29页 |
| 2.3 飞秒激光加工重掺杂硅材料的工艺介绍 | 第29-31页 |
| 2.3.1 RCA标准清洗法 | 第29页 |
| 2.3.2 飞秒激光器制备重掺杂硅的操作流程 | 第29-31页 |
| 2.4 实验材料 | 第31-32页 |
| 2.5 制备工艺 | 第32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 离子注入辅以飞秒激光制备重掺杂硅材料及其性能研究 | 第33-45页 |
| 3.1 重掺杂硅材料表面形貌表征 | 第33-34页 |
| 3.2 重掺杂硅的光学特性研究 | 第34-37页 |
| 3.2.1 分光光度计简介 | 第34页 |
| 3.2.2 重掺杂硅的吸收特性 | 第34-37页 |
| 3.3 重掺杂硅的电学特性的研究 | 第37-44页 |
| 3.3.1 霍尔效应原理介绍 | 第37-38页 |
| 3.3.2 电阻率和霍尔效应测试方法 | 第38-40页 |
| 3.3.2.1 电阻率的测量方法 | 第39-40页 |
| 3.3.2.2 霍尔效应测试方法 | 第40页 |
| 3.3.3 测量及结果分析 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 重掺杂硅光电二极管的制备及性能研究 | 第45-52页 |
| 4.1 基于PN结的重掺杂硅光电二极管工作原理 | 第45-46页 |
| 4.2 重掺杂硅光电二极管的制备 | 第46-47页 |
| 4.3 重掺杂硅光电二极管性能测试 | 第47-51页 |
| 4.3.1 重掺杂硅光电二极管的I-V特性曲线 | 第47-48页 |
| 4.3.2 重掺杂硅光电二极管的响应特性 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第60-61页 |